System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质制造方法及图纸_技高网

一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

技术编号:44748200 阅读:10 留言:0更新日期:2025-03-26 12:36
本发明专利技术提供一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质,涉及芯片转移技术领域,其中,所述方法包括:S1,控制吸膜机构移动到芯片的下方,通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜;S2,控制抓取头移动到芯片的上方,并吸附芯片;S3,通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,使得芯片与基膜分离;S4,在芯片与基膜分离后,控制抓取头吸附取走芯片。本发明专利技术采用真空反向逐步吸附的方式,实现芯片与基膜逐步分离,避免了采用顶针顶起的方式造成芯片损坏;并且通过对芯片周围的基膜进行支撑,能够极大地减少对周边芯片的应力,从而降低芯片的缺陷率,可广泛应用于各类超薄芯片的晶粒粘贴工序中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片转移,尤其涉及一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质


技术介绍

1、在半导体封装制造工序中,芯片会呈格子状分布于晶片中,而晶粒粘贴工序则是将晶粒从晶片中取出,随后粘贴到封装载体上,以进行后续的其他封装工序。

2、为了在晶片中固定芯片,一般会在晶片背面贴膜,并将膜固定在框架上。同时,这层膜的存在也会给晶粒粘贴工序带来一定的挑战。在通常情况下,为了实现晶片与基膜的脱离,会在芯片底面采用顶针将芯片顶起,再用抓取头将芯片取走。然而,在存储行业中,随着容量需求的增加,芯片尺寸越来越大,厚度也越来越薄,直接用顶针顶起会非常容易顶裂芯片,极大的影响产品良率。

3、在现有技术中,通常会采用三步顶或四步顶等方式,将芯片阶梯式逐步顶起,或将芯片顶起后再阶梯式逐步下降,从而完成芯片与基膜的分离。然而,尽管这种方式可以极大程度的减少被顶起芯片损伤的概率,但顶起过程中,由于顶起的范围较大,反而会因为基膜向上拉扯,而对周边芯片造成影响,甚至造成周边芯片崩裂。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质,旨在解决上述
技术介绍
中的至少一个技术问题。

2、第一方面,本专利技术实施例提供了一种超低应力的芯片与基膜分离的方法,其包括:

3、s1,控制吸膜机构移动到芯片的下方,通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜;

4、s2,控制抓取头移动到芯片的上方,并吸附芯片

5、s3,通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,使得芯片与基膜分离;

6、s4,在芯片与基膜分离后,控制抓取头吸附取走芯片。

7、其进一步的技术方案为,所述吸膜机构包括基座以及活动部件,所述基座的中部开设有滑动位,所述活动部件嵌于所述滑动位内,且可在所述滑动位内滑动。

8、其进一步的技术方案为,所述通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜,包括:

9、通过所述活动部件吸附芯片下方的基膜,以及通过基座支撑在芯片周围的基膜的下方。

10、其进一步的技术方案为,所述通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,包括:

11、在活动部件将芯片下方的基膜吸附之后,控制活动部件在所述滑动位内向下滑动,带动芯片下方的基膜一起向下运动。

12、其进一步的技术方案为,执行步骤s3的过程中,保持基座支撑在芯片周围的基膜的下方。

13、其进一步的技术方案为,所述通过所述活动部件吸附芯片下方的基膜之前,所述方法还包括:控制吸膜机构的活动部件对准所述芯片;

14、所述控制抓取头移动到芯片的上方之前,所述方法还包括:控制抓取头对准所述芯片。

15、第二方面,本专利技术实施例还提供了一种芯片抓取设备,所述芯片抓取设备包括控制器、吸膜机构以及抓取头,所述吸膜机构以及抓取头受控于所述控制器;所述吸膜机构包括基座以及活动部件,所述基座的中部开设有滑动位,所述活动部件嵌于所述滑动位内,且可在所述滑动位内滑动;其中,所述控制器用于执行如第一方面所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法。

16、第三方面,本专利技术实施例还提供了一种超低应力的芯片与基膜分离的装置,其包括用于执行上述方法的单元。

17、第四方面,本专利技术实施例还提供了一种计算机设备,其包括存储器及处理器,所述存储器上存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。

18、第五方面,本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序当被处理器执行时可实现上述方法。

19、本专利技术实施例提供了一种超低应力的芯片与基膜分离的方法、装置、设备及介质。其中,所述方法包括:s1,控制吸膜机构移动到芯片的下方,通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜;s2,控制抓取头移动到芯片的上方,并吸附芯片;s3,通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,使得芯片与基膜分离;s4,在芯片与基膜分离后,控制抓取头吸附取走芯片。本专利技术采用真空反向逐步吸附的方式,实现芯片与基膜逐步分离,避免了采用顶针顶起的方式造成芯片损坏;并且通过对芯片周围的基膜进行支撑,能够极大地减少对周边芯片的应力,从而降低芯片的缺陷率,可广泛应用于各类超薄芯片的晶粒粘贴工序中。

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【技术保护点】

1.一种超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述吸膜机构包括基座以及活动部件,所述基座的中部开设有滑动位,所述活动部件嵌于所述滑动位内,且可在所述滑动位内滑动。

3.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜,包括:

4.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,包括:

5.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,执行步骤S3的过程中,保持基座支撑在芯片周围的基膜的下方。

6.根据权利要求4所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过所述活动部件吸附芯片下方的基膜之前,所述方法还包括:控制吸膜机构的活动部件对准所述芯片;

7.一种芯片抓取设备,其特征在于,包括控制器、吸膜机构以及抓取头,所述吸膜机构以及抓取头受控于所述控制器;所述吸膜机构包括基座以及活动部件,所述基座的中部开设有滑动位,所述活动部件嵌于所述滑动位内,且可在所述滑动位内滑动;其中,所述控制器用于执行如权利要求1-6任一项所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法。

8.一种超低应力的芯片与基膜分离的装置,其特征在于,包括用于执行如权利要求1-6任一项所述方法的单元。

9.一种计算机设备,其特征在于,所述计算机设备包括存储器及处理器,所述存储器上存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序当被处理器执行时可实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。

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【技术特征摘要】

1.一种超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述吸膜机构包括基座以及活动部件,所述基座的中部开设有滑动位,所述活动部件嵌于所述滑动位内,且可在所述滑动位内滑动。

3.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过吸膜机构吸附芯片下方的基膜并且支撑芯片周围的基膜,包括:

4.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过吸膜机构将芯片下方的基膜吸附向下移动,包括:

5.根据权利要求2所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,执行步骤s3的过程中,保持基座支撑在芯片周围的基膜的下方。

6.根据权利要求4所述的超低应力的芯片与基膜分离的方法,其特征在于,所述通过所述活动部件吸附芯片下方的基膜之前,所述方法还包...

【专利技术属性】
技术研发人员:周茂鹏屈海峰
申请(专利权)人:东莞忆联信息系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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