一种超导量子芯片及其处理方法、表面氢键的检测方法技术

本申请提供了一种超导量子芯片表面氢键的检测方法，包括：使用球差扫描透射电镜的TEM模式对目标超导器件进行拍摄，获得电镜图；使用球差扫描透射电镜的STEM模式对所述电镜图进行预设能量范围内的EELS扫描，获得能量损失数据；将所述能量损失数据与由氢键断裂的能量值所构成的集合进行对比；若所述能量损失数据在所述集合内具有相同的能量值，确定所述目标超导器件表面存在氢键；其中，所述集合包含的每一能量值均处于所述预设能量范围。进一步提供了一种超导量子芯片的处理方法，通过将石墨烯层覆盖在存在氢键的超导器件表面，解决由于氢杂质带来TLS损耗。还提供了一种经本申请超导量子芯片的处理方法得到的超导量子芯片。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及量子芯片，特别是涉及一种超导量子芯片及其处理方法、表面氢键的检测方法。

技术介绍

1、超导量子芯片的退相干主要由于耗散两能级系统(tls)，这存在于约瑟夫森结、超导环路(squid)等超导器件中。对于约瑟夫森结，氢键的形成产生了电偶极矩，从而产生介电损耗引起退相干；对于超导环路，氢键吸引环境中的气体分子，诱导磁化产生磁偶极矩，导致额外的通量噪声源磁通噪声，引起比特能级浮动而发生相位退相干。超导器件表面很容易与氢原子(h)、羟基(oh-)等结合形成氢键(al-h、o-h…o、o-h、c-h等)，而氢键是引起耗散两能级损耗的主要因素，因此，对超导量子芯片表面氢键进行表征和消除，对解决氢键引起的耗散两能级损耗具有极其重要的意义。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种超导量子芯片及其处理方法、表面氢键的检测方法，以解决氢键引起的耗散两能级损耗。具体技术方案如下：

2、本申请第一方面提供了一种超导量子芯片表面氢键的检测方法，所述超导量子芯片包括超导器件，所述检测方法包括：

3、使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超导量子芯片表面氢键的检测方法，所述超导量子芯片包括超导器件，其特征在于，所述检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述使用球差扫描透射电镜的STEM模式对所述电镜图进行预设能量范围内的EELS扫描之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预设能量范围为0-500meV；所述集合的能量值选自Al-H氢键、O-H…O氢键、O-H氢键和C-H氢键断裂的能量值。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述使用球差扫描透射电镜的TEM模式对目标超导器件进行拍摄之前，还包括：

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种超导量子芯片表面氢键的检测方法，所述超导量子芯片包括超导器件，其特征在于，所述检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述使用球差扫描透射电镜的stem模式对所述电镜图进行预设能量范围内的eels扫描之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预设能量范围为0-500mev；所述集合的能量值选自al-h氢键、o-h…o氢键、o-h氢键和c-h氢键断裂的能量值。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述使用球差扫描透射电镜的tem模式对目标超导器件进行拍摄之前，还包括：

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

6.一种超导量子芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，张辉，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：