【技术实现步骤摘要】
本申请属于元器件可靠性领域，更具体地，涉及一种sic mosfet功率循环特征参数在线提取方法和系统。
技术介绍
1、当前主要的功率器件老化实验数据库由美国nasa的ames研究中心提供，但主要是硅基的器件。随着第三代半导体功率器件的大规模应用，对于sic mosfet的器件可靠性研究及寿命预测也愈发重要，目前国内外对于sic mosfet的器件可靠性研究及寿命预测还处于起步阶段。
2、功率循环试验是可靠性研究领域常见的实验方法，在这种测试方法中，功率器件因自身的损耗主动加热，在导通时，也即是导通电阻产生的导通损耗，该导通损耗会使得器件内部温度升高，当器件温度升高到设定值时，功率电流将会断开，使器件自然被动降温或使用冷却系统主动进行降温，当器件温度下降到设定值时，关闭冷却系统，重新加载功率电流，进行下一次循环，直到被测器件达到失效标准。在每一次循环过程中，功率器件内部会产生温度梯度来加速器件老化失效，我们可以采集器件在此过程中的特性表征参数，用于可靠性分析和进行寿命预估。
3、功率循环试验用于加速sic mosf...
【技术保护点】
1.一种SiC MOSFET功率循环特征参数在线提取方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述SiC MOSFET的器件温度为SiCMOSFET的管壳温度。
3.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述SiC MOSFET的导通压降为驱动信号开启时刻采样到的栅源电压，所述米勒平台电压为SiC MOSFET进入米勒平台时刻采样到的栅极驱动电压。
4.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述的通过提取到的米勒平台电压和导通时漏极电流，计算SiC MOSFET的阈值电压，具体如下：
5....
【技术特征摘要】
1.一种sic mosfet功率循环特征参数在线提取方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述sic mosfet的器件温度为sicmosfet的管壳温度。
3.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述sic mosfet的导通压降为驱动信号开启时刻采样到的栅源电压，所述米勒平台电压为sic mosfet进入米勒平台时刻采样到的栅极驱动电压。
4.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，所述的通过提取到的米勒平台电压和导通时漏极电流，计算sic mosfet的阈值电压，具体如下：
5.如权利要求1所述的提取方法，其特征在于，在拟合之前，使用滑动平均值对阈值电...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜宇航，熊万泽，陈雨浩，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七〇九研究所，
类型：发明
国别省市：
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