一种具有大双折射率的碲基光学晶体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种具有大双折射率的碲基光学晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料技术领域。本发明专利技术在具有立体化学活性孤对电子的Te<supgt;4+</supgt;阳离子中，引入有机π共轭环‑邻菲罗啉和有利于紫外截止边蓝移的Cl元素，在乙醇做溶剂的条件下，Te<supgt;4+</supgt;被还原得到了Te<supgt;2+</supgt;阳离子，此外，邻菲罗啉上两个N含孤对电子，是一个良好的双齿配体，在合成晶体的过程中，通过提供孤电子对与Te<supgt;2+</supgt;形成了化学配位键，有机配位键让Te<supgt;2+</supgt;展现出整齐一致的平面结构，使基团间排列整齐一致，有效的增大了化合物的光学各异性，得到了一种双折射率极大的光学晶体‑(C<subgt;12</subgt;H<subgt;8</subgt;N<subgt;2</subgt;)TeCl<subgt;2</subgt;，双折射率可达1.086@546 nm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学材料，具体涉及一种具有大双折射率的碲基光学晶体材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、双折射晶体具有调制偏振光的能力，可作为偏振器件广泛应用于线性光学器件、光纤传感器以及先进的光通信系统，经过科学家们多年的不懈努力，已经得到了很多具有优异性能的双折射晶体材料，部分晶体从中脱颖而出并被广泛应用于偏振器和补偿器等，如mgf2、caco3、yvo4、α-bab2o4（α-bbo）、tio2等。

2、然而，上述双折射晶体都大多存在一些缺陷，阻碍了其在实际生活中的应用。例如，yvo4晶体具有很大的双折射率，约为0.216@532 nm，但该晶体中的y元素价态不太稳定，从而导致获得的晶体质量差；此外，yvo4不能透过400 nm以下的光区，无法直接用于紫外（ultraviolet，uv）光区。方解石晶体，即caco3，它是天然矿物，所含杂质较多，阻碍了其用于制造具有高光学质量的偏振棱镜。α-bab2o4晶体在生长过程中存在相变，不太稳定，很难获得高质量晶体。mgf2晶体具有很短的紫外截止边，可达110 nm，可用于深紫外区，但该晶体的双折本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有大双折射率的碲基光学晶体材料，其特征在于：所述碲基光学晶体材料的化学组成为(C12H8N2)TeCl2，空间群为Pn，晶胞参数为a=4.2730(3) Å，b=9.8453(7) Å，c=14.7866(10) Å，α=90°，β=97.013(7)，γ=90°，Z=2。

2.权利要求1所述的具有大双折射率的碲基光学晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述C12H8N2·H2O和TeCl4的摩尔比为1:2.5。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述混合溶剂中盐酸与无水乙...

【技术特征摘要】

1.一种具有大双折射率的碲基光学晶体材料，其特征在于：所述碲基光学晶体材料的化学组成为(c12h8n2)tecl2，空间群为pn，晶胞参数为a=4.2730(3) å，b=9.8453(7) å，c=14.7866(10) å，α=90°，β=97.013(7)，γ=90°，z=2。

2.权利要求1所述的具有大双折射率的碲基光学晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述c12h8n2·h2o和tecl4的摩尔比为1:2.5。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：董雪华，王诗怡，
申请(专利权)人：四川师范大学，
类型：发明
国别省市：