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6mA以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩制造技术

技术编号:44737110 阅读:9 留言:0更新日期:2025-03-21 18:03
本发明专利技术涉及一种6mA以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩,电路包括:漏电流检测模块、模块校准电路、模块测试电路、继电器、驱动电路和单片机。本发明专利技术所设计的6mA以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩,在不使用价格更高,体积更大的B型漏电断路器的情况下,能够同时检测交流剩余电流、脉动直流剩余电流和6mA及以上平滑直流剩余电流,满足新国标GB/T18487‑20233对于充电桩漏电流检测保护的要求,同时降低了充电桩的制造成本和体积,提高了充电桩的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及漏电检测保护,特别是一种6ma以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩。


技术介绍

1、近年来,我国新能源汽车市场蓬勃发展。我国新能源汽车市场已经从政策驱动转向市场驱动,并在全球市场中占据超过60%的份额。

2、目前,随着新能源汽车保有量的持续增长,充电桩建设也加速推进,然而,随着充电桩的大量使用,老旧充电桩的安全隐患和各类事故也频频发生,暴露出充电安全方面亟待解决的问题。

3、为了提高充电桩的安全性,国家修订了充电桩标准,新标准gb/t18487-2023在原标准gb/t18487.1-2015《电动汽车传导充电系统第一部分:通用要求》的基础上,总结吸取了近年来市场上出现的各类安全隐患,着重加强了安全可靠性方面的规定,尤其是在剩余电流检测方面提出了更为安全可靠的保护措施,以进一步保障充电过程的安全性与可靠性。

4、此外,在市场上有一些能够满足新国标要求的充电桩漏电保护方案,例如采用b型漏电断路器。然而,b型漏电断路器的价格相对较高,增加了充电桩的制造成本,且b型漏电断路器的体积较大,不便于安装和集成到充电桩内部。


技术实现思路

1、为了解决上述问题,本专利技术提供了一种满足新标准gb/t18487-2023对于充电桩漏电流检测保护的要求,且节省成本与空间的6ma以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩。

2、为了达到上述目的,第一方面,本申请实施例提供了一种6ma以上直流剩余电流检测保护电路,包括:

3、漏电流检测模块,设置在充电回路上,用于实时检测该充电回路中的交流剩余电流、脉动直流剩余电流和6ma以上的平滑直流剩余电流;所述漏电流检测模块具有用于输出脱扣信号的trip引脚、用于校准零位的cal引脚和用于测试脱扣功能的test引脚;

4、模块校准电路,其输出端连接到所述漏电流检测模块的cal引脚,用于校准所述漏电流检测模块的零位;

5、模块测试电路,其输出端连接到所述漏电流检测模块的test引脚,用于测试所述漏电流检测模块的脱扣功能;

6、继电器,串联设置在所述充电回路上;

7、驱动电路,用于驱动所述继电器导通或切断所述充电回路;

8、单片机,与所述模块校准电路、模块测试电路和脱扣信号驱动电路连接,用于控制所述模块校准电路输出校准信号、控制所述模块测试电路输出测试信号、接收所述trip引脚输出的脱扣信号,并配置为在检测到脱扣信号时发出报警信号;

9、其中,所述单片机具有一电平输出端rly_on,在所述模块校准电路完成校准且所述模块测试电路完成测试时,所述电平输出端rly_on输出高电平信号至所述驱动电路以控制所述继电器导通所述充电回路;在所述单片机检测到所述脱扣信号时,电平输出端rly_on输出低电平信号至所述驱动电路以控制所述继电器切断所述充电回路。

10、进一步的方案是,所述漏电流检测模块为金升阳tlb6-a1pc。

11、进一步的方案是,还包括缓启动电路,其输出端连接到所述漏电流检测模块的vcc引脚,所述缓启动电路用于控制所述漏电流检测模块的上电时序。

12、进一步的方案是,所述缓启动电路包括电阻r81、电阻r82、电阻r83、pmos管q11和三极管q12,所述三极管q12的集电极通过电阻r81连接5v电源,三极管q12的基极连接电阻r82,三极管q12的发射极接地,所述电阻r83并联在三极管q12的基极与发射极之间;所述pmos管q11的源极连接5v电源,pmos管q11的栅极连接三极管q12的集电极,三极管q12的漏极连接漏电流检测模块的vcc引脚。

13、进一步的方案是,所述驱动电路包括三极管q6、三极管q7、电阻r42、电阻r43、电阻r45、电阻r47和二极管d1;所述三极管q6的集电极通过二极管d1连接12v电源,三极管q6的基极通过电阻r42连接所述电平输出端rly_on,三极管q6的发射极接地;所述三极管q7的基极通过电阻r45连接所述trip引脚,三极管q7的集电极连接三极管q6的基极,三极管q7的发射极接地;所述电阻r43并联在三极管q7的集电极与发射极之间;所述电阻r47一端连接三极管q7的基极与电阻r45之间的连接点,另一端接地;所述继电器的控制触点并联在二极管d1的两端。

14、进一步的方案是,所述三极管q6的型号为ss8050;所述三极管q7的型号为mmbt3904。

15、进一步的方案是,所述模块校准电路包括nmos管q8、电阻r48、电阻r49和电阻r50,所述nmos管q8的漏极连接所述三极管q12的漏极,nmos管q8的源极接地,nmos管q8的栅极通过电阻r50连接cal引脚;所述电阻r49并联在nmos管q8的栅极和nmos管q8的源极之间。

16、进一步的方案是,所述模块测试电路包括nmos管q9、电阻r51、电阻r52和电阻r53,所述nmos管q9的漏极连接所述三极管q12的漏极,nmos管q9的源极接地,nmos管q9的栅极通过电阻r53连接test引脚;所述电阻r52并联在nmos管q9的栅极和nmos管q9的源极之间。

17、进一步的方案是,所述nmos管q8的型号为cj3400;所述nmos管q9的型号为cj3400;所述pmos管q11的型号为fdn304p;所述三极管q12的型号为mmbt3904。

18、第二方面,本申请实施例提供了一种充电桩,其特征在于,具备第一方面任一实施例所述的6ma以上直流剩余电流检测保护电路。

19、本专利技术所设计的6ma以上直流剩余电流检测保护电路及充电桩,在不使用价格更高,体积更大的b型漏电断路器的情况下,能够同时检测交流剩余电流、脉动直流剩余电流和6ma及以上平滑直流剩余电流,满足新国标gb/t18487-20233对于充电桩漏电流检测保护的要求,同时降低了充电桩的制造成本和体积,提高了充电桩的可靠性和稳定性。

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【技术保护点】

1.一种6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述漏电流检测模块为金升阳TLB6-A1PC。

3.根据权利要求2所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,还包括缓启动电路,其输出端连接到所述漏电流检测模块的VCC引脚,所述缓启动电路用于控制所述漏电流检测模块的上电时序。

4.根据权利要求3所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述缓启动电路包括电阻R81、电阻R82、电阻R83、PMOS管Q11和三极管Q12,所述三极管Q12的集电极通过电阻R81连接5V电源,三极管Q12的基极连接电阻R82,三极管Q12的发射极接地,所述电阻R83并联在三极管Q12的基极与发射极之间;所述PMOS管Q11的源极连接5V电源,PMOS管Q11的栅极连接三极管Q12的集电极,三极管Q12的漏极连接漏电流检测模块的VCC引脚。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述驱动电路包括三极管Q6、三极管Q7、电阻R42、电阻R43、电阻R45、电阻R47和二极管D1;所述三极管Q6的集电极通过二极管D1连接12V电源,三极管Q6的基极通过电阻R42连接所述电平输出端RLY_ON,三极管Q6的发射极接地;所述三极管Q7的基极通过电阻R45连接所述TRIP引脚,三极管Q7的集电极连接三极管Q6的基极,三极管Q7的发射极接地;所述电阻R43并联在三极管Q7的集电极与发射极之间;所述电阻R47一端连接三极管Q7的基极与电阻R45之间的连接点,另一端接地;所述继电器的控制触点并联在二极管D1的两端。

6.根据权利要求5所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述三极管Q6的型号为SS8050;所述三极管Q7的型号为MMBT3904。

7.根据权利要求4所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述模块校准电路包括NMOS管Q8、电阻R48、电阻R49和电阻R50,所述NMOS管Q8的漏极连接所述三极管Q12的漏极,NMOS管Q8的源极接地,NMOS管Q8的栅极通过电阻R50连接CAL引脚;所述电阻R49并联在NMOS管Q8的栅极和NMOS管Q8的源极之间。

8.根据权利要求7所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述模块测试电路包括NMOS管Q9、电阻R51、电阻R52和电阻R53,所述NMOS管Q9的漏极连接所述三极管Q12的漏极,NMOS管Q9的源极接地,NMOS管Q9的栅极通过电阻R53连接TEST引脚;所述电阻R52并联在NMOS管Q9的栅极和NMOS管Q9的源极之间。

9.根据权利要求8所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述NMOS管Q8的型号为CJ3400;所述NMOS管Q9的型号为CJ3400;所述PMOS管Q11的型号为FDN304P;所述三极管Q12的型号为MMBT3904。

10.一种充电桩,其特征在于,具备权利要求1-9任一项所述的6mA以上直流剩余电流检测保护电路。

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【技术特征摘要】

1.一种6ma以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的6ma以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述漏电流检测模块为金升阳tlb6-a1pc。

3.根据权利要求2所述的6ma以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,还包括缓启动电路,其输出端连接到所述漏电流检测模块的vcc引脚,所述缓启动电路用于控制所述漏电流检测模块的上电时序。

4.根据权利要求3所述的6ma以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述缓启动电路包括电阻r81、电阻r82、电阻r83、pmos管q11和三极管q12,所述三极管q12的集电极通过电阻r81连接5v电源,三极管q12的基极连接电阻r82,三极管q12的发射极接地,所述电阻r83并联在三极管q12的基极与发射极之间;所述pmos管q11的源极连接5v电源,pmos管q11的栅极连接三极管q12的集电极,三极管q12的漏极连接漏电流检测模块的vcc引脚。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的6ma以上直流剩余电流检测保护电路,其特征在于,所述驱动电路包括三极管q6、三极管q7、电阻r42、电阻r43、电阻r45、电阻r47和二极管d1;所述三极管q6的集电极通过二极管d1连接12v电源,三极管q6的基极通过电阻r42连接所述电平输出端rly_on,三极管q6的发射极接地;所述三极管q7的基极通过电阻r45连接所述trip引脚,三极管q7的集电极连接三极管q6的基极,三极管q7的发射极接地;所述电阻r43并联在三极管q7的集电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员:高涵闻晓斐方鹏李炳荣黄晓龙
申请(专利权)人:数源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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