改善外延堆垛层错ESF的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善外延堆垛层错ESF的方法，所属硅片外延加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：开始温度为700℃～720℃，全程通H<subgt;2</subgt;，接着快速升温至1120℃。第二步：从1120℃持续升温55s，通HCl温度升至1130℃。第三步：保持1130℃80s并通SiHCl<subgt;3</subgt;长膜，膜厚为3.5μm。第四步：最后降温至原来的700℃～720℃。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了堆垛层错的问题。使得外延堆垛层错ESF数量降低至0.1/cm<supgt;2</supgt;以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片外延加工，具体涉及一种改善外延堆垛层错esf的方法。

技术介绍

1、外延是半导体工艺当中的一种，外延工艺是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程，新生的单晶层称为外延层，长了外延层的衬底称为外延片。外延片具有抛光片所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。用于功率mos晶体管的外延硅片要求具有非常低的衬底电阻率。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因晶体生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。

2、功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。

3、堆垛层错esf是一种面缺陷，会增大二极管的反向漏电流以及降低击穿电压，严重影响了器件的性能，该堆垛层错缺陷不仅会增大二极管的反向漏电流，而且还会降低击穿电压，严重地影响电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善外延堆垛层错ESF的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善外延堆垛层错ESF的方法，其特征在于：通入HCl的浓度为1000sccm。

3.根据权利要求2所述的改善外延堆垛层错ESF的方法，其特征在于：将通入HCL的长外延和常规条件未通入HCL的长外延的两种条件下，对外延片用SP机台测试颗粒并将颗粒图进行对比，明显看出通HCL之后颗粒数减少。

4.根据权利要求1所述的改善外延堆垛层错ESF的方法，其特征在于：当在HCl气氛中进行外延生长前的预烘烤时，硅片最外层的氧和红磷向外扩散，但团簇由于处于稳定状态而留在最外层。<...

【技术特征摘要】

1.一种改善外延堆垛层错esf的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善外延堆垛层错esf的方法，其特征在于：通入hcl的浓度为1000sccm。

3.根据权利要求2所述的改善外延堆垛层错esf的方法，其特征在于：将通入hcl的长外延和常规条件未通入hcl的长外延的两种条件下，对外延片用sp机台测试颗粒并将颗粒图进行对比，明显看出通hcl之后颗粒数减少。

4.根据权利要求1所述的改善外延堆垛层错esf的方法，其特征在于：当在hcl气...

【专利技术属性】
技术研发人员：何珍碧，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：