【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及读取半导体存储器，并且更具体地涉及用于读取非易失性存储器（诸如多次可编程（emtp）存储器）的方法、系统和装置。
技术介绍
1、申请人已经识别了与读取半导体存储器相关联的许多技术挑战和困难。通过付出努力、独创性和创新，申请人已经通过开发本公开的实施例解决了这些识别出的问题中的许多，本公开的实施例在下面详细描述。
技术实现思路
1、提供本文描述的涉及用于读取非易失性存储器的方法、装置和系统的各种实施例。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种用于读取存储器单元的方法。在一些实施例中，该方法包括接收存储器单元的单元电流；接收第一参考电流、第二参考电流和第三参考电流；基于将单元电流与第一参考电流进行比较而生成第一比较输出信号；基于将单元电流与第二参考电流进行比较而生成第二比较输出信号；基于将单元电流与第三参考电流进行比较而生成第三比较输出信号；以及至少部分地基于单元电流与第一参考电流的比较、单元电流与第二参考电流的比较或单元电流与第三参考电流的比较中的一个或多个来...
【技术保护点】
1.一种用于读取存储器单元的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中第一参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最小被擦除单元电流对应。
3.如权利要求2所述的方法，其中第二参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最大原始单元电流对应。
4.如权利要求3所述的方法，其中第三参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最小原始单元电流对应。
5.如权利要求4所述的方法，其中如果确定单元电流大于第一参考电流，那么确定存储器单元被正确擦除。
6.如权利要求4所述的方法，其中如果单元电...
【技术特征摘要】
1.一种用于读取存储器单元的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中第一参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最小被擦除单元电流对应。
3.如权利要求2所述的方法，其中第二参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最大原始单元电流对应。
4.如权利要求3所述的方法，其中第三参考电流与基于与存储器单元相关联的电压阈值分布的最小原始单元电流对应。
5.如权利要求4所述的方法，其中如果确定单元电流大于第一参考电流，那么确定存储器单元被正确擦除。
6.如权利要求4所述的方法，其中如果单元电流大于第二参考电流，并且第一参考电流大于单元电流，那么确定存储器单元被擦除不足。
7.如权利要求4所述的方法，其中如果单元电流大于第三参考电流，并且第一参考电流和第二参考电流中的每一个大于单元电流，那么确定存储器单元被擦除不良。
8.如权利要求4所述的方法，其中如果单元电流小于第一参考电流、第二参考电流和第三参考电流中的每一个，那么确定存储器单元被编程。
9.如权利要求1所述的方法，还包括基于第一比较输出信号、第二比较输出信号或第三比较输出信号中的一个或多个生成与存储器单元的主状态对应的最终输出信号。
10.如权利要求9的方法，还包括输出第一比较输出信号、第二比较输出信号、第三比较输出信号或最终输出信号中的一个或多个。
11.一种...
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