【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计，涉及一种针对单粒子效应的加固器件。
技术介绍
1、随着航空航天技术的迅猛发展，集成电路中的set（单粒子瞬态）为系统可靠性面临的关键威胁之一，而针对单粒子效应的加固效率，在很大程度上取决于离子射入时撞击位置的随机性以及工艺-电压-温度（pvt）的变化。在先进的技术节点下，set在空间和航空电子领域带来的可靠性问题尤为突出，由高能粒子所引起的set可能会导致组合逻辑中的电压扰动或瞬态电流锁存，从而进一步导致产生cmos（互补金属氧化物半导体）集成电路设计中的软错误响应，并且随着晶体管尺寸的减小和节点电容的降低，使得这种瞬态现象变得更加明显。
2、针对set的加固技术基本上是从器件结构、版图加固以及优化布局布线等方面进行加固，当重粒子撞击晶体管敏感区域时，产生的寄生瞬态电流可能导致产生毛刺或者信号翻转，因此加固技术大多从此出发。然而传统的加固技术仍存在着难以实现在不同的pvt工作环境下对set效应的有效抑制的技术问题。
技术实现思路
1、针对上述传统技术中存在的问题，本专利技术提出了一种针对单粒子效应的加固器件，能够有效实现在不同的pvt工作环境下对set效应的有效抑制。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例采用以下技术方案：
3、提供一种针对单粒子效应的加固器件，包括集成电路版图中的目标晶体管，目标晶体管的源极中央区域插入阱；其中，目标晶体管包括pmos管和nmos管，pmos管的源极中央区域插入的是n阱，nmos管的
4、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
5、上述针对单粒子效应的加固器件，通过在集成电路版图设计上，在晶体管器件的源极中央区域插入相对应的阱并使得阱与源极无缝连接，通过增强阱点位的可控性，来抑制nmos管和pmos管的set的脉冲宽度，如此在集成电路版图上采用源级中央插入阱技术的结构布局，使得pmos管和nmos管在不同的pvt工作环境下wset都显著降低：在线性能量转移(let)为37mev·cm2/mg时与未加固的布局相比，pmos管的wset可以降低80%左右，nmos管的wset降低约为50%。
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1.一种针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，包括集成电路版图中的目标晶体管，所述目标晶体管的源极中央区域插入阱；其中，所述目标晶体管包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的源极中央区域插入的是N阱，所述NMOS管的源极中央区域插入的是P阱。
2.根据权利要求1所述的针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，所述PMOS管的源极中央区域插入的N阱的底部添加有一层N+层。
3.根据权利要求1或2所述的针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，所述PMOS管包括LVT器件或SVT器件。
4.根据权利要求1或2所述的针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，所述NMOS管包括LVT器件或SVT器件。
5.根据权利要求2所述的针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，所述阱的尺寸和掺杂浓度分别为设计的目标尺寸和目标掺杂浓度，所述N+层的掺杂浓度和厚度分别为设计的最优掺杂浓度和目标厚度。
【技术特征摘要】
1.一种针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，包括集成电路版图中的目标晶体管，所述目标晶体管的源极中央区域插入阱；其中，所述目标晶体管包括pmos管和nmos管，所述pmos管的源极中央区域插入的是n阱，所述nmos管的源极中央区域插入的是p阱。
2.根据权利要求1所述的针对单粒子效应的加固器件，其特征在于，所述pmos管的源极中央区域插入的n阱的底部添加有一层n+层。
3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚国辉，周嘉礼，吴圳曦，陈俊贤，王磊，
申请(专利权)人：湖南长城银河科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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