ALD载具以及ALD设备制造技术

提供一种ALD载具以及ALD设备。ALD载具包括铝壳体、第一PEEK承载直条、第二PEEK承载直条、第三PEEK承载直条及第四PEEK承载直条；铝壳体具有工艺内腔，工艺内腔具有中心面；第一PEEK承载直条设于右壁面；第二PEEK承载直条的两端分别设于前后壁面，第二PEEK承载直条在左右方向上位于中心面和第一PEEK承载直条之间；第三PEEK承载直条设于前后壁面、在左右方向上位于中心面和左壁面之间；第四PEEK承载直条设于左壁面；第一PEEK承载直条、第二PEEK承载直条、第三PEEK承载直条及第四PEEK承载直条用于四点支撑衬底。ALD设备包括ALD载具。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及原子层沉积(ald)领域，更具体地涉及一种ald载具以及ald设备。

技术介绍

1、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)技术是一种通过将气相前驱体脉冲交替通入反应室并在衬底表面发生化学吸附反应，将物质以单原子膜形式一层一层的镀在衬底表面形成薄膜的方法。由于ald的表面反应具有自限制性，ald生长的薄膜具有良好的均匀性、优异的三维共形性、并且能够实现精确的厚度控制，使得ald在微电子、光学、能源、催化等领域得到广泛的应用。

2、在ald工艺过程中，衬底表面的温度均匀性对于沉积薄膜的均匀性具有重要影响。衬底表面的温度主要来源于加热丝加热产生的热辐射，加热丝加热产生的热辐射优先对承载衬底的载具进行加热。

3、因衬底与载具之间存在支撑接触，使得载具升温后不仅仅通过热辐射对衬底进行加热，而且在支撑接触部位通过热传导对衬底进行加热。

4、由于热传导及热辐射的传热效率不同，会导致衬底表面温度的不均匀分布，影响衬底表面的化学吸附与反应速率，从而影响沉积薄膜的膜厚均匀性。>

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ALD载具，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的ALD载具，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的ALD载具，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的ALD载具，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的ALD载具，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的ALD载具，其特征在于，

7.一种ALD设备，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的ALD设备，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的ALD设备，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种ald载具，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的ald载具，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的ald载具，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的ald载具，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴凯，黄周师，何坤鹏，
申请(专利权)人：江苏先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：