【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静电防护环结构及其制作方法，特别是涉及一种具有单扩散阻断的静电防护环结构及其制作方法。
技术介绍
1、现代电子制作工艺可以制造纳米级设备，然而，这些小尺寸的设备增加了它们对静电放电(esd)的敏感性，因此在许多元件周边都设置了防护环，防护环设计搭配集成电路是半导体设计中的基本，防护环可用于半导体设计中的各个地方，以提供电路功能的电性隔离，例如用于防止设备、电路、和电源区域之间发生不良交互影响。此外，防护环还可防止电流注入和其它可能导致寄生元件、噪声、静电故障或闩锁效应的潜在扰动。
2、然而，由于元件的集成度增加，防护环的体积需随之缩小，如此一来造成防护环中的长条形元件容易发生倒塌，而影响半导体效能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种静电防护环结构以解决上述问题。
2、根据本专利技术的一优选实施例，一种静电防护环结构包含一基底，其中一第一方向和基底的上表面平行、一第二方向和基底的上表面平行，第一方向和第二方向垂直，一静电防护环设置在基底...
【技术保护点】
1.一种静电防护环结构，包含：
2.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一鳍状结构的长度大于各该第二鳍状结构的长度。
3.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一多晶硅导电线的长度等于各该第二多晶硅导电线的长度。
4.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一多晶硅导电线的长度大于各该第三多晶硅导电线的长度。
5.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含第一导线同时电连接该多个第一多晶硅导电线、该多个第二多晶硅导电线和该多个第三多晶硅导电线。
6.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含第二...
【技术特征摘要】
1.一种静电防护环结构，包含：
2.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一鳍状结构的长度大于各该第二鳍状结构的长度。
3.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一多晶硅导电线的长度等于各该第二多晶硅导电线的长度。
4.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该第一多晶硅导电线的长度大于各该第三多晶硅导电线的长度。
5.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含第一导线同时电连接该多个第一多晶硅导电线、该多个第二多晶硅导电线和该多个第三多晶硅导电线。
6.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含第二导线同时电连接该多个第一鳍状结构和该多个第二鳍状结构。
7.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中各该单扩散阻断包含：沟槽设置于其中之一个该多个第一鳍状结构中，氧化硅层填入该沟沟槽。
8.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含半导体元件设置于该基底上并且位于该中空矩形轮廓的中空区域。
9.如权利要求1所述的静电防护环结构，还包含对准标记设置于该基底上并且位于该中空矩形轮廓的中空区域。
10.如权利要求1所述的静电防护环结构，其中该多个第二鳍状结构中没有设置单扩散阻断。
11.一种静电防护环结构的制作方法，包含：
12....
【专利技术属性】
技术研发人员：孙家祯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。