像素阵列芯片制造技术

本申请涉及半导体器件领域，公开一种像素阵列芯片。像素阵列芯片包括：驱动基板，包括电路层以及位于电路层一侧表面的第一键合层；外延组件，包括像素功能层、位于像素功能层第一表面所在侧的复合键合层、位于像素功能层第二表面的多个阴极电极，复合键合层与第一键合层室温键合连接，像素功能层包括阵列排布的多个像素功能单元，每个像素功能单元包括依次层叠设置的P型半导体层、有源层、N型半导体层，每个阴极电极在第二表面与对应一个像素功能单元的N型半导体层电连接，阴极电极穿过像素功能层、复合键合层以及第一键合层与电路层电连接。根据本申请实施例的像素阵列芯片，能够更精简的结构实现像素功能单元与驱动基板的电连接。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件领域，特别涉及一种像素阵列芯片。

技术介绍

1、微发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)显示芯片由于具有高稳定性、高亮度的特性，被认为是最适合增强现实(augmented reality，ar)应用的微显示器芯片。

2、目前micro-led显示芯片的制作过程中，会将驱动基板与外延组件的键合连接，从而实现外延组件与驱动基板之间电路连接。外延组件包括多个像素功能单元，每个像素功能单元包括依次层叠设置的p型半导体层、有源层、n型半导体层，由于p型半导体层、n型半导体层位于有源层两侧，其中一者朝向驱动基板，另一者背离驱动基板。例如，p型半导体层朝向驱动基板，n型半导体层背离驱动基板，因此，现有技术中需要在外延组件背离驱动基板一侧设置额外的电连接结构实现将每个像素功能单元的n型半导体层与驱动基板电连接，使得芯片结构较复杂。

技术实现思路

1、本申请提供一种像素阵列芯片，能够更精简的结构实现像素功能单元与驱动基板的电连接。

2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种像素阵列芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的像素阵列芯片，其特征在于，每个所述像素功能单元呈多边形结构，每个所述像素功能单元的外周具有非功能区，每个所述阴极电极在对应所述像素功能单元的角部位置与对应所述像素功能单元电连接，且所述阴极电极延伸至所述非功能区。

3.如权利要求1所述的像素阵列芯片，其特征在于，所述电路层包括与所述多个阴极电极对应的多个阴极电连接部，所述像素阵列芯片包括：

4.如权利要求3所述的像素阵列芯片，其特征在于，每个所述像素功能单元的所述N型半导体层包括减薄区和非减薄区，所述减薄区相对所述非减薄区从所述第二表面向所...

【技术特征摘要】

1.一种像素阵列芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的像素阵列芯片，其特征在于，每个所述像素功能单元呈多边形结构，每个所述像素功能单元的外周具有非功能区，每个所述阴极电极在对应所述像素功能单元的角部位置与对应所述像素功能单元电连接，且所述阴极电极延伸至所述非功能区。

3.如权利要求1所述的像素阵列芯片，其特征在于，所述电路层包括与所述多个阴极电极对应的多个阴极电连接部，所述像素阵列芯片包括：

4.如权利要求3所述的像素阵列芯片，其特征在于，每个所述像素功能单元的所述n型半导体层包括减薄区和非减薄区，所述减薄区相对所述非减薄区从所述第二表面向所述第一表面减薄设置，每个所述阴极电极覆盖于对应所述像素功能单元的所述减薄区，并延伸至相邻所述像素功能单元的部分所述非减薄区上，所述钝化层还位于所述阴极电极与相邻所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙润光，王仕伟，
申请(专利权)人：北京晟启光芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：