一种单颗粒的微纳颗粒检测装置制造方法及图纸

技术编号:44637963 阅读:13 留言:0更新日期:2025-03-17 18:30
本申请涉及一种用于测量微纳颗粒的装置。所述装置包括:具有第一电极的第一腔室和与所述第一腔室相邻并且具有第二电极的第二腔室,分隔所述第一腔室和第二腔室的衬底,覆盖在所述衬底的第一腔室一侧的膜,所述膜上具有微孔,所述衬底具有电渗槽,所述电渗槽的内径大于所述微孔的孔径而小于所述第二腔室的内径,所述第一腔室通过所述微孔及所述电渗槽和第二腔室相连通,所述电渗槽的内壁具有电渗槽修饰层,所述电渗槽修饰层在与电解液接触时界面具有特定的zeta电位。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微纳颗粒检测,具体涉及一种微纳颗粒的检测装置及方法。


技术介绍

1、微纳颗粒物质(粒径在1nm~10um,以下简称为微纳颗粒)由于其尺寸依赖效应,如小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应等,表现出许多特异的物理行为。随着颗粒尺寸的减小,其表面积与体积之比越来越大,使得微纳颗粒呈现出意料不到的特性,能够被广泛地应用于医药、化工、材料等领域。因此,测量微纳颗粒的大小、粒径分布、颗粒浓度、zeta电位等属性的单颗粒检测技术在微纳颗粒的应用中十分重要。

2、传统的单颗粒检测技术包括:电子显微镜、纳米示踪技术(nta)、纳米流式检测(nanofcm)和电阻脉冲感测(rps)。电子显微镜可以直观地测量纳米颗粒的粒径,但是在测量前需要先进行干态制样,而不能显示样品在液体中的状态。纳米示踪技术(nta)的基本原理是通过图像法追踪纳米颗粒在液体中的布朗运动规矩,通过布朗运动的速度快慢来反推纳米颗粒的粒径大小。纳米示踪技术会受到样品的亲疏水性、样品的光散射强度以及图像采集精确度的影响,造成粒径测量不准确。纳米流式检测(nanofcm)的基本原理是将样品颗粒以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于测量微纳颗粒的装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述微孔的孔径为20nm~5um。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽的内径小于3mm。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽修饰层在与所述电解液接触时界面具有比-20mV更负的zeta电位。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述电渗槽修饰层的材料选自下组:氧化硅、氮化硅、多晶硅、单晶硅以及其与阴离子吸附形成的吸附层。

6.根据权利要求4所述的装置,其中所述电渗槽修饰层在与所述电解液接触时界面的zeta电位值为-65±6mV。

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【技术特征摘要】

1.一种用于测量微纳颗粒的装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述微孔的孔径为20nm~5um。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽的内径小于3mm。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽修饰层在与所述电解液接触时界面具有比-20mv更负的zeta电位。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述电渗槽修饰层的材料选自下组:氧化硅、氮化硅、多晶硅、单晶硅以及其与阴离子吸附形成的吸附层。

6.根据权利要求4所述的装置,其中所述电渗槽修饰层在与所述电解液接触时界面的zeta电位值为-65±6mv。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽的深度是所述微孔的孔深的5倍或以上。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述电渗槽修饰层与所述电解液接触时界面具有绝对值不大于10mv的zeta电位。

9.根据权利要求8所述的装置,其中所述电渗槽修饰层的材料选自下组:氧化钛、氧化铝、氧化镁。

10.根据权利要求8所述的装置,其中所述电渗槽修饰层在与所述电解液接触时界面的zeta电位值为0±3mv。

11.根据权利要求8所述的装置,其中所述电渗槽修饰层还覆盖所述膜与所述电渗槽的界面以及所述微孔的内壁。

12.根据权利要求1所述的装置,还包括液体驱动器,其可以驱动所述电解液的流动...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊贵王哲柳可
申请(专利权)人:瑞芯智造深圳科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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