薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示设备制造技术

本公开涉及薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括：有源层；以及栅电极，其与有源层间隔开并且与有源层部分地交叠；该有源层包括：沟道区域，其与栅电极部分交叠；源极区域，其连接至沟道区域的一侧；以及漏极区域，其连接至沟道区域的另一侧。有源层限定其中不存在有源层的有源孔，在平面图中有源孔的至少一部分与栅电极交叠，并且有源孔的至少另一部分延伸超过栅电极的边缘。栅电极包括本体部分和在第一方向上突出的突出部分，该第一方向是平行于连接源极区域和漏极区域的最短线的方向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示设备。

技术介绍

1、晶体管广泛用作电子装置领域中的开关装置或驱动装置。特别地，由于薄膜晶体管可以在玻璃基板或塑料基板上制造，因此薄膜晶体管被广泛用作显示设备例如液晶显示设备或有机发光装置的开关装置。

2、基于构成有源层的材料，可以将薄膜晶体管划分成使用非晶硅作为有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用多晶硅作为有源层的多晶硅薄膜晶体管和使用氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。

3、非晶硅薄膜晶体管(a-si tft)具有制造处理时间短和生产成本低的优点，因为非晶硅可以在短时间内沉积以形成有源层，但是因为迁移率低和电流驱动能力差以及阈值电压的变化而具有在有源矩阵有机发光装置(amoled)中使用受限的缺点。

4、多晶硅薄膜晶体管(poly-si tft)是通过在沉积非晶硅后使非晶硅结晶而制成的。由于在多晶硅薄膜晶体管的制造处理中需要使非晶硅结晶的处理，因此制造成本随着处理数目的增加而增加，并且由于结晶处理是在高的处理温度下执行的，因此难以将多晶硅薄膜晶体管应用于大面积装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，平行于所述第一方向的直线中穿过所述有源孔的至少一部分的直线穿过所述突出部分。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述突出部分不与所述有源孔交叠。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述突出部分与所述有源孔的至少一部分交叠。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述突出部分包括彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分，并且

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述第一有源孔...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，平行于所述第一方向的直线中穿过所述有源孔的至少一部分的直线穿过所述突出部分。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述突出部分不与所述有源孔交叠。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述突出部分与所述有源孔的至少一部分交叠。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述突出部分包括彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分，并且

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述第一有源孔和所述第二有源孔不与所述第一突出部分或所述第二突出部分中的任一个交叠。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述第一突出部分和所述第二突出部分在所述第一方向上从所述本体部分的朝向所述源极区域的一侧突出，

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述第一突出部分和所述第二突出部分在所述第一方向上从所述本体部分的朝向所述漏极区域的一侧突出，

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，所述第一突出部分和所述第二突出部分中的一个在所述第一方向上从所述本体部分的朝向所述源极区域的一侧突出，所述第一突出部分和所述第二突出部分中的另一个在所述第一方向上从所述本体部分的朝向所述漏极区域的另一侧突出，

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，在所述平面图中，在第一方向上穿过所述第一突出部分的至少一部分的直线不在所述第二突出部分上方通过。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述突出部分包括彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分，

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，所述有源孔还包括彼此间隔开的第一有源孔和第二有源孔，

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正贤，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：