一种近表面电阻测试仪的导流装置制造方法及图纸

技术编号:44617774 阅读:21 留言:0更新日期:2025-03-17 18:18
本技术提供了一种近表面电阻测试仪的导流装置,包括壳体、上盖和导流板;壳体包括第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板和底板;导流板固定在氧化腔内,导流板的一端和第二侧板的内壁贴合,导流板的另一端与第四侧板的内壁贴合,导流板的下表面与底板的内壁贴合。在测量晶圆表面外延层的电阻时,CDA从进气口进入氧化腔内被导流板阻挡,CDA从导流板靠近进气口的侧面和顶面吹送至整个晶圆的上表面,这样可以使晶圆表面的气流分布地更加均匀,进而使晶圆表面的氧化层的密度和厚度更加均匀,最终测得的电阻值更加准确和稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及近表面电阻测试仪,特别涉及一种近表面电阻测试仪的导流装置


技术介绍

1、在晶圆制造过程中,需要使用近表面电阻测试仪测量晶圆表面外延层的电阻。近表面电阻测试仪又称为表面电阻测试仪,近表面电阻测试仪的结构如图1所示,包括壳体1、上盖2和紫外线灯5;壳体1包括第一侧板11、第二侧板12、第三侧板13、第四侧板14和底板15,第一侧板11上设置有进气口111,第三侧板13上设置有出气口131;上盖2的一端与第二侧板12的顶端铰接连接,上盖2和壳体1围合形成氧化腔,上盖2相对壳体1可打开和闭合;紫外线灯5安装在上盖2的内侧面上。

2、在测量晶圆4表面外延层的电阻时,需要将晶圆4放在氧化腔内,从进气口111输入cda(clean dry air,洁净干燥的空气),cda中的氧气在紫外光线辐射下生成臭氧,臭氧与晶圆4表面的硅反应生成氧化层,氧化层的密度和厚度影响电阻的测量结果。

3、然而,进气口111和出气口131之间的连线通常对准晶圆4的中心线,当cda流过进气口111、氧化腔和出气口131时,晶圆4表面的气流分布不均匀,晶圆4中间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,包括壳体、上盖和导流板;所述壳体包括第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板和底板,所述第一侧板、所述第二侧板、所述第三侧板和所述第四侧板顺次连接,所述第一侧板上设置有进气口,所述第三侧板上设置有出气口;所述上盖的一端与所述第二侧板顶端铰接连接,所述上盖和所述壳体围合形成氧化腔,所述上盖相对所述壳体可打开和闭合;

2.如权利要求1所述的一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,所述导流板和所述第一侧板的内壁之间具有间隙。

3.如权利要求1所述的一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,所述导流板的高度低于所述第一侧...

【技术特征摘要】

1.一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,包括壳体、上盖和导流板;所述壳体包括第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板和底板,所述第一侧板、所述第二侧板、所述第三侧板和所述第四侧板顺次连接,所述第一侧板上设置有进气口,所述第三侧板上设置有出气口;所述上盖的一端与所述第二侧板顶端铰接连接,所述上盖和所述壳体围合形成氧化腔,所述上盖相对所述壳体可打开和闭合;

2.如权利要求1所述的一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,所述导流板和所述第一侧板的内壁之间具有间隙。

3.如权利要求1所述的一种近表面电阻测试仪的导流装置,其特征在于,所述导流板的高度低于所述第一侧板的高度,并且高于所述进气口相对所述底板的高度。

4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张雁汝张斌
申请(专利权)人:上海新昇半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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