芳烃分子印迹荧光传感器制备方法及荧光强度检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及荧光检测领域，具体涉及一种芳烃分子印迹荧光传感器制备方法及荧光强度检测装置。本发明专利技术所提供的一种芳烃分子印迹荧光传感器制备方法，包括以下步骤：S1混合液配制；S2芳烃分子聚合物制备和S3芳烃分子印迹荧光传感器的制备。此方法制备得到的芳烃分子印迹荧光传感器能够对芳烃分子进行特异性识别，利用荧光分光光度计测量荧光的强度能够实时检测环境中芳烃分子的含量。本发明专利技术还提供了一种芳烃分子印迹荧光传感器荧光强度检测装置，利用此装置检测荧光强度的数据快速准确，且此装置结构简单，检测成本低，易于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光检测领域，具体涉及一种芳烃分子印迹荧光传感器制备方法及荧光强度检测装置。

技术介绍

1、多环芳烃(pahs)是一类广泛存在于环境中的有机污染物，它们因其独特的化学性质和生物活性而备受关注。这类化合物被证实具有显著的致癌、致畸以及致突变效应，通常被称为“三致”效应。由于这些特性，多环芳烃的存在不仅威胁着生态系统的健康稳定，也严重危害人类的生命安全。考虑到其半挥发性特点，多环芳烃可以通过空气传播到较远的地方；同时，它们容易在生物体内累积，并且很难自然分解或降解。这意味着一旦释放到环境中，多环芳烃可能会对生态环境造成长期甚至永久性的影响。鉴于此，如何有效地监测并控制环境中多环芳烃含量成为了一个亟待解决的问题。

2、目前为止，在实际应用中最常采用的技术手段包括但不限于高效液相色谱法、气相色谱技术、薄层扫描分析法及纸层析法等。尽管这些方法可以提供较为精确的结果，但也存在一些明显的缺点：首先，高昂的操作成本使得大规模应用变得不太现实；其次，大多数检测过程都需要高温条件的支持，这不仅增加了实验难度也提高了能耗水平；最后，对于需要快速现场筛查本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在S1混合液配制步骤中，所述芳烃分子与α-甲基丙烯酸的摩尔比为1:(3.9～4.1)；所述芳烃分子与乙腈的摩尔比为1：(19～58)。

3.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在S2芳烃分子聚合物制备步骤中，所述乙二酸二甲基丙烯酸酯与芳烃分子的摩尔比为(5～15)：1。

4.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在S2芳烃分子聚合物制备步骤中，所...

【技术特征摘要】

1.一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在s1混合液配制步骤中，所述芳烃分子与α-甲基丙烯酸的摩尔比为1:(3.9～4.1)；所述芳烃分子与乙腈的摩尔比为1：(19～58)。

3.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在s2芳烃分子聚合物制备步骤中，所述乙二酸二甲基丙烯酸酯与芳烃分子的摩尔比为(5～15)：1。

4.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在s2芳烃分子聚合物制备步骤中，所述偶氮二异丁腈与芳烃分子的摩尔比为1：(0.7～0.9)；所述碳量子点与偶氮二异丁腈的质量比为1：(3.9～4.1)。

5.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在s2芳烃分子聚合物制备步骤中，所述水浴加热的温度为50～70℃。

6.根据权利要求1所述的一种芳烃分子印迹荧光传感器的制备方法，其特征在于，在芳烃分子印迹荧光传感器的制备步骤中，所述乙酸的体积分数为5～15％。

7.一种芳烃分子印迹荧光传感器荧光强度检测装置，其特征在于，壳体(12)设于样品存放池(7)上方，在壳体(12)靠近样品存放池(7)的一端内部设有防尘玻璃(6)，在防尘玻璃(6)正上方设有第一空腔(13)，第一空腔(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈义，曹天义，李琛，陈成，王芳，诸江，颜科红，王璐，张国新，
申请(专利权)人：无锡科技职业学院，
类型：发明
国别省市：