存储设备LDPC纠错能力测试方法技术

技术编号:44603277 阅读:30 留言:0更新日期:2025-03-14 12:57
本发明专利技术公开了一种存储设备LDPC纠错能力测试方法,包括硬判决纠错能力测试方法和软判决纠错能力测试方法,本发明专利技术通过错误比特数来衡量硬判决和软判决的纠错能力,通过定量衡量LDPC硬判决和软判决的纠错能力,为评估存储设备的使用寿命提供理论参考,通过定量衡量LDPC硬判决和软判决的纠错能力,可以在项目前期快速确定LDPC纠错算法或当前硬判决和软判决的参数是否满足当前闪存颗粒要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储,更具体地说,本专利技术涉及一种存储设备ldpc纠错能力测试方法。


技术介绍

1、主控芯片和闪存颗粒是存储设备重要组成部分。在使用过程中,需要主控芯片中的纠错算法保障闪存数据可靠性,从而延长存储设备的使用寿命,目前存储设备上主流的纠错算法是ldpc纠错算法,ldpc纠错算法包含两种,一种是硬判决,一种是软判决。硬判决耗时短,但是解码能力弱,软判决解码能力强,但是耗时较长,一般存储设备中会先采用硬判决,如果纠不回来,会进行软判决。ldpc纠错能力直接影响存储设备的使用寿命,而目前现有技术中缺少对存储设备上关于ldpc纠错能力进行测试的方法。

2、因此,专利技术一种存储设备ldpc纠错能力测试方法来解决上述问题很有必要。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术提供一种存储设备ldpc纠错能力测试方法,来解决上述
技术介绍
中提出的现有技术中缺少对存储设备上关于ldpc纠错能力进行测试的方法的问题。

2、为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.存储设备LDPC纠错能力测试方法,包括硬判决纠错能力测试方法和软判决纠错能力测试方法,其特征在于:所述硬判决纠错能力测试方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的存储设备LDPC纠错能力测试方法,其特征在于:所述步骤S1中的擦除操作和写操作可以是SLC模式也可以是最高模式,所述擦除操作和写操作的模式需要保持一致,后面的读操作同理,SLC闪存颗粒最高模式是SLC模式,MLC闪存颗粒最高模式是MLC模式,TLC闪存颗粒最高模式是TLC模式,QLC闪存颗粒最高模式是QLC模式。

3.根据权利要求2所述的存储设备LDPC纠错能力测试方法,其特征在于:所述步骤S2中N...

【技术特征摘要】

1.存储设备ldpc纠错能力测试方法,包括硬判决纠错能力测试方法和软判决纠错能力测试方法,其特征在于:所述硬判决纠错能力测试方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的存储设备ldpc纠错能力测试方法,其特征在于:所述步骤s1中的擦除操作和写操作可以是slc模式也可以是最高模式,所述擦除操作和写操作的模式需...

【专利技术属性】
技术研发人员:万婷祝志雄刘国玉马晖
申请(专利权)人:北京泽石科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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