【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光通信领域，尤其涉及一种封装结构、光模块和光通信设备。
技术介绍
1、光通信器件是光通信业务中重要的硬件组成部分，其作用是实现电信号和光信号之间的相互转换。随着光网络业务的不断提速和平滑升级需求的增加，市场出现了两代以及多代光网络产品兼容共存的现象。例如无源光网络xg无源光网络和10g以太网无源光网络的兼容和平滑过渡，以及更高速率的网络业务。
2、对于底层光器件，则需要支持多个不同速率和波长的光信号同时传输，以满足不同速率和波长的多端口并存的需求。因此，底层光器件在不同封装形式下需要高密度和高集成度的封装要求。而目前的常见封装技术包括竖立式三维技术以及卧式封装技术，上述封装技术需要进行多个物料元件多次贴片封装，工序复杂，封装耗时久，封装外形体积大。因此，如何实现高密度和高集成度的封装要求是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种封装结构、光模块和光通信设备，通过在封装结构中设置集成有探测单元的水平腔面激光芯片，从而实现最简化的封装形态，简化封装工序，减小封装
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【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构为晶体管外形封装结构，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述HCSEL芯片为电吸收调制激光EML形式，其中：
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水平腔面激光器芯片为分布式反馈DFB形式，在DFB形式的HCSEL芯片中，所述光探测单元由光敏电阻构成。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述水平腔面激光器芯片包括第一电极、第二电极和半导体基底，其中，所述半导体基底包括第一区域、第二区域和隔离槽，所述第一区域和所述第二区域分别位于所述隔离
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构为晶体管外形封装结构，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述hcsel芯片为电吸收调制激光eml形式，其中：
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水平腔面激光器芯片为分布式反馈dfb形式，在dfb形式的hcsel芯片中，所述光探测单元由光敏电阻构成。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述水平腔面激光器芯片包括第一电极、第二电极和半导体基底，其中，所述半导体基底包括第一区域、第二区域和隔离槽，所述第一区域和所述第二区域分别位于所述隔离槽的两侧，其中：
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述隔离槽包括第一侧壁，所述第一侧壁为所述反射斜面。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述水平腔面激光器芯片包括第一电极、第二电极和半导体基底，其中，所述半导体基底中设置有发光层、反射斜面、分束单元和所述光探测单元，其中：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘媛，刘涛，邵海峰，董浩，苏长征，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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