一种SCR器件、工艺方法及芯片技术

本发明专利技术提供了一种SCR器件、工艺方法及芯片，相比于传统的LVTSCR器件，本发明专利技术中的SCR器件的触发电压更低、维持电压更高，能够避免深回滞现象，拓展了SCR器件的应用场景，使得SCR器件能够应用于高工作电压端口。本发明专利技术中的SCR器件还能够形成多条ESD电流泄放路径，使得芯片的单位面积下ESD电流泄放能力更高，使得SCR器件具有低导通电阻特性，有效节约了芯片的面积，降低了芯片的生产成本；此外，多条ESD电流泄放路径使得ESD电流在SCR器件内的分布更加均匀，有效提高了SCR器件在大电流下的泄放路径鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，尤其涉及一种scr器件、工艺方法及芯片。

技术介绍

1、静电放电（esd，electrostatic discharge）是指静电积累导致的瞬间电流脉冲。esd现象容易使集成电路发生损坏，因此需设计esd保护电路保护集成电路。esd保护电路主要由esd防护器件提供静电电荷的泄放，其中，esd防护器件的触发电压应低于失效电压，esd防护器件的触发电压与维持电压应高于esd防护器件的端口的工作电压，保证电路正常工作时关断，避免影响电路工作。在esd事件下，esd防护器件应将端口的电压钳位在失效电压以内并及时泄放esd电流。

2、随着集成电路技术的发展，各种功能的集成电路产品不断推出，集成电路的工作电压越来高，正常工作电压与失效电压之间的余量越来越小，esd防护器件设计的安全窗口越发狭窄。目前，既要求esd防护器件具备更高的自维持电压，以适应高工作电压端口的esd保护功能，又要求esd防护器件具备更低的导通电阻与触发电压，使esd防护器件能够及时触发并在泄放esd电流时产生更小的电压降，使esd防护器件能够在更窄的工作电压与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SCR器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，所述第二p型阱区与所述第一p重掺杂区之间、所述第一p重掺杂区与所述第一n重掺杂区之间、所述第一n重掺杂区与所述第二p重掺杂区之间、所述第二p重掺杂区与所述第三p重掺杂区之间、所述第三p重掺杂区与所述第二n重掺杂区之间、所述第三n重掺杂区与所述第四n重掺杂区之间、所述第四n重掺杂区与所述第二p型阱区之间均通过浅沟槽介质隔离。

3.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，所述n型深阱区、所述第一p型阱区、所述第一n型阱区、所述第二p型阱区、所述第一p重掺杂区、所述第一n重掺杂区...

【技术特征摘要】

1.一种scr器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的scr器件，其特征在于，所述第二p型阱区与所述第一p重掺杂区之间、所述第一p重掺杂区与所述第一n重掺杂区之间、所述第一n重掺杂区与所述第二p重掺杂区之间、所述第二p重掺杂区与所述第三p重掺杂区之间、所述第三p重掺杂区与所述第二n重掺杂区之间、所述第三n重掺杂区与所述第四n重掺杂区之间、所述第四n重掺杂区与所述第二p型阱区之间均通过浅沟槽介质隔离。

3.根据权利要求1所述的scr器件，其特征在于，所述n型深阱区、所述第一p型阱区、所述第一n型阱区、所述第二p型阱区、所述第一p重掺杂区、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李会羽，刘屹琳，陈锡均，黄曦原，
申请(专利权)人：深圳市国微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：