【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电压可调电路结构，尤其涉及一种基于控制mosfet的电压可调电路结构。
技术介绍
1、目前，基于控制mosfet的电压可调电路结构是大功率电源中关键电路之一。
2、现有技术中，线性调整电路包括第一三极管q13、第二三极管q15、二极管d7、mos管q17以及稳压管zd1、电阻、电容和保险丝；驱动信号mosdiv接入第二三极管q15的基极，第二三极管q15的发射极与电阻连接后经过稳压管zd1与+12v电源相连接，集电极与-12v电源相连接；第一三极管q13的集电极与二极管d2负极连接，发射极接入预稳信号p7，基极与保险丝的右端相连和三个并联电阻的左端连接；mos管q17漏极经电容接地且与第二三极管q15的发射极相连接，源极经保险丝后与第一三极管q13的基级和三个并联电阻左端连接，栅极经电阻后与二极管d7的正极连接，源极与漏极之间接入一个稳压管；在二极管d7的正极串联一个电阻，同时并联一个电容后与第二三极管q15的发射极连接。完全由mosdiv驱动信号控制的线性调整结构。
3、现有技术的缺点：
<...【技术保护点】
1.一种基于控制MOSFET的电压可调电路结构，其特征在于，MOSFET功率管的GS两端设有电压采集元件和电压控制单元；
【技术特征摘要】
1.一种基于控制mosfet的电压可调电路结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卉，石亚昆，赵佳鹤，
申请(专利权)人：北京大华无线电仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。