【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及性能分析，具体为具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法、设备、介质。
技术介绍
1、当前，低温超导材料(如nb-ti、nb3sn、mgb2、lafeaso等)已在探测器、等离子体磁约束、超导储能和医用磁共振成像等领域得到了广泛应用。然而，这些超导材料需要在极低温度下使用，这导致了高昂的运转成本，并限制了其在实际应用中的广泛推广。基于此，人们对于能够在较宽温度范围内使用且具备低功耗的材料需求日益增长。
2、拓扑绝缘体材料作为一种新兴的量子材料，具备体态绝缘、边缘导电的独特特性。其边缘态在拓扑保护下具有稳定的导电特性，不受材料表面的无序杂质干扰，能够在边缘形成无耗散的导电通道。因此，拓扑绝缘体被认为是未来低功耗电子器件开发的重要材料之一。
3、拓扑绝缘体的导电通道受时间反演对称性保护，通常仅向两个方向传播，从而具有较少的散射通道和更高的稳定性，这使得其在低功耗集成电路、量子计算及自旋电子学等领域的应用前景广阔。然而，传统的拓扑绝缘体材料难以在实际应用中产生量子反常霍尔效应。通过引入磁性掺杂元素或化...
【技术保护点】
1.一种磁性掺杂的拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，结合格林函数分析不同质量参数情况下，所述拓扑绝缘体材料的局域磁态变化情况，包括：
3.根据权利要求1所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，分析不同质量参数情况下，所述拓扑绝缘体材料的局域磁态变化情况包括：
4.根据权利要求2所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，构建第一杂质格林函数，包括：
5.根据权利要求4...
【技术特征摘要】
1.一种磁性掺杂的拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，结合格林函数分析不同质量参数情况下，所述拓扑绝缘体材料的局域磁态变化情况，包括：
3.根据权利要求1所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，分析不同质量参数情况下，所述拓扑绝缘体材料的局域磁态变化情况包括：
4.根据权利要求2所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，构建第一杂质格林函数，包括：
5.根据权利要求4所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，构建第二杂质格林函数，包括：
6.根据权利要求5所述的一种具有局域磁态的磁性掺杂拓扑绝缘体性能分析方法，其特征在于，根...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢桢，张世杰，陈润璋，朱创宇，周康，
申请(专利权)人：深圳市蓝色极光储能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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