【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件设计制造，具体地，涉及一种半导体封装结构及其制备方法和芯片。
技术介绍
1、相关技术中，半导体器件的供电通常是通过pcb板（印刷电路板）上的调节组件将较高电压（12v或48v）转换为较低电压（0.75-01v），当半导体器件的soc（芯片件）为大功率时，pcb板上会有大电流流过（例如1000w功率时大于1000a）。印刷电路板上的大电流会产生高焦耳热，从而降低向soc输送的功率，另外，印刷电路板和封装结构有寄生电感，在大电流增加时会延迟向soc供电，导致soc凸点处电压降低，因此，为了在相同频率下保持电路功能，我们需要提高vrm（电压调节模组）的输出电压，会增加功率消耗。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种半导体封装结构及其制备方法和芯片，该半导体封装结构通过在半导体封装结构内部形成低成本、高l/r的电感器，利于降低寄生电感，能够快速响应电流需求，用以至少部分解决相关技术问题。
2、为了实现上述目的，根据本公开的第一方面，提供一种半导体封装结构，包括：
3、基本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板本体还包括第三腔体，所述半导体封装结构还包括安装于所述第三腔体的电容件。
3. 根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电容件包括DTC电容和/或3D MIM电容。
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一腔体和所述第二腔体分别位于所述第三腔体的两侧。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板本体还包括多个通孔，所述金属层包括位于所述通孔内的第一金属层。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板本体还包括第三腔体，所述半导体封装结构还包括安装于所述第三腔体的电容件。
3. 根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电容件包括dtc电容和/或3d mim电容。
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一腔体和所述第二腔体分别位于所述第三腔体的两侧。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板本体还包括多个通孔，所述金属层包括位于所述通孔内的第一金属层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板层还包括形成于所述基板本体的至少一侧的多个积层。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属层还包括位于多个所述积层内的第二金属层。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括形成于所述积层远离所述基板本体一侧的隔离层，所述隔离层形成有与...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：摩尔线程智能科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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