【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁约束等离子体的光谱分析领域，尤其涉及一种内窥式的等离子体单色光分析系统。该系统可以穿过等离子体装置外围复杂的磁体、低温、辐射屏蔽和其他机械结构，通过对准直光路的实时监测调节，实现等离子体光谱二维特征较为准确的采集分析。
技术介绍
1、磁约束等离子体装置，如托卡马克装置，外围布置有复杂的磁场线圈。为获得稳态的强磁场，这些线圈需要处于超导态，因而需要放置于极低温度环境中。高参数磁约束等离子体需要进行辐射屏蔽，以保护人员和设备安全。因此在磁约束等离子体外围安装有多种复杂机械结构，难以直接安装整体式大尺寸光学系统。磁约束等离子体在空间分布上差异较大，时间上快速变化，要表征和分析其背后隐含着的众多信息需要同时获取不同单色光的二维分布和演化信息，并进行相应的计算处理。此外，通过滤光片获取特定中心波长的单色光，需要入射光具备较好的准直性，否则入射角的差异会导致透过滤光片的中心波长发生偏移。因此需要发展结构紧凑、能迂回穿过复杂机械结构的可实时监测和调节光束准直性的内窥式等离子体单色光分析系统，为磁约束等离子体的性能评估和运行控制提供实验
【技术保护点】
1.一种内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，包括以下部件：第一位置调节电机（1）、第二位置调节电机（2）、第三位置调节电机（3）、第四位置调节电机（4）、第一反射镜（5）、收集镜头（6）、光纤阵列（7）、指示光纤（8）、指示光源（9）、远心准直镜头（10）、第一分束镜（11）、第二分束镜（12）、第一窄带滤光片（13）、第一会聚透镜（14）、第一光学探测器（15）、第二反射镜（16）、第三反射镜（17）、半透光屏（18），各部件的位置关系如下：
2.根据权利要求1所述的内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的内...
【技术特征摘要】
1.一种内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，包括以下部件：第一位置调节电机（1）、第二位置调节电机（2）、第三位置调节电机（3）、第四位置调节电机（4）、第一反射镜（5）、收集镜头（6）、光纤阵列（7）、指示光纤（8）、指示光源（9）、远心准直镜头（10）、第一分束镜（11）、第二分束镜（12）、第一窄带滤光片（13）、第一会聚透镜（14）、第一光学探测器（15）、第二反射镜（16）、第三反射镜（17）、半透光屏（18），各部件的位置关系如下：
2.根据权利要求1所述的内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的内窥式等离子体单色光分析系统，其特征在于，还包括：计算机，用于从第一光学探测器（15）的成像中，获取等离子体不同波长特征谱线强度及其之间比值的二维分布。
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁芳，周海山，胡振华，杨钟时，罗广南，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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