背接触太阳能电池及其制造方法技术

本公开涉及一种背接触太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：提供基底，于基底上形成本征半导体层；于本征半导体层背离基底的一侧印刷形成第一阻挡图案，第一阻挡图案具有用于定义第一发射极形成位置的第一开口图案；基于第一开口图案对本征半导体层进行第一极性掺杂，形成第一发射极；去除第一阻挡图案；于本征半导体层背离基底的一侧印刷形成第二阻挡图案，第二阻挡图案具有用于定义第二发射极形成位置的第二开口图案；基于第二开口图案对本征半导体层进行第二极性掺杂，形成第二发射极；图形化第二阻挡图案，以至少暴露出第二发射极。该制造方法用于简化电池制备工艺，降低工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及太阳能电池，特别是涉及一种背接触太阳能电池及其制造方法。

技术介绍

1、ibc（interdigitated back contact，全背电极接触）太阳能电池的正面无栅线，背面呈指状交叉排列正负金属栅线。ibc电池作为平台型的光伏电池技术，能够叠加各种不同的高效电池技术，从而进一步提升光电转化效率。例如，ibc技术与hjt（heterojunctiontechnology，异质结）电池结合，可制成hbc（hybrid back contact，复合背接触）电池。或者，还例如，ibc技术与topcon（隧穿氧化层钝化接触）电池结合，可制成tbc（隧穿氧化层背接触）电池。然而，hbc电池和tbc电池的制备成本较高，制备工艺复杂，限制了其大规模产业化进程。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种背接触太阳能电池及其制造方法，能够简化电池制备工艺，降低工艺难度，以提升制备效率并降低制备成本，从而易于实现电池的大规模产业化进程。

2、为了实现上述目的，第一方面，本公开实施例提供了一种背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述图形化所述第二阻挡图案，包括：对所述第二阻挡图案执行湿法刻蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案通过对可图形化的扩散阻挡浆料执行丝网印刷工艺形成。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡浆料包括热固化浆料或光固化浆料；所述扩散阻挡浆料在一次固化后形...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述图形化所述第二阻挡图案，包括：对所述第二阻挡图案执行湿法刻蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案通过对可图形化的扩散阻挡浆料执行丝网印刷工艺形成。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡浆料包括热固化浆料或光固化浆料；所述扩散阻挡浆料在一次固化后形成对应的阻挡图案；

6.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡浆料包含：有机硅反应物、氧化物填料及添加...

【专利技术属性】
技术研发人员：张倬涵，黄纪德，江涛，张战宣，李军虎，刘长明，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：