场限环终端的参数确定方法、相关装置以及制备方法制造方法及图纸

本申请公开了一种场限环终端的参数确定方法、相关装置以及制备方法。该方法包括：获取多个场限环结构的物理模型的模型参数，场限环结构包括初始主结以及位于初始主结一侧的初始场限环，不同的场限环结构对应的初始场限环的宽度不同；根据多个模型参数以及主结的设计耐压值，确定原参数信息，场限环终端包括主结以及位于主结一侧的多个场限环区域，原参数信息包括每个场限环区域中场限环的宽度以及相邻场限环之间的环间距；根据原参数信息对场限环终端进行仿真计算，得到主结的实际耐压值，并在设计耐压值与实际耐压值的差值不满足设计要求的情况下，对原参数信息进行调整。本申请解决了现有技术中难以设计得到满足耐压需求的场限环终端的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种场限环终端的参数确定方法、制备方法、参数确定装置、计算机可读存储介质和电子设备。

技术介绍

1、功率半导体作为弱电控制强电的关键开关器件，在现代电力系统、交通运输、航空航天等领域具有广阔应用前景。然而由于半导体pn结表面曲率半径影响，pn结表面电场远大于体内最大电场，使得器件在高压下在表面易于发生击穿。因此高压功率器件通常需要设置终端保护结构来降低其表面最大电场，使器件尽可能在体内发生击穿，并使实际的击穿电压尽量达到体内击穿电压的理想值，从而提高器件耐压特性。

2、目前传统半导体的终端结构通常采用一些特殊的结构来减小表面电场，提升终端耐压，场限环终端由于其工艺制造简单，工艺稳定且成本较低，成为目前的主流技术。然而，场限环终端设计时，涉及相关参数较多，给设计带来了巨大的困难和挑战，特别是当耐压需求增加，环个数随之增加时，如何设计得到满足耐压需求的场限环终端，是当前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种场限环终端的参数确定方法、制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场限环终端的参数确定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据多个所述模型参数以及主结的设计耐压值，确定原参数信息，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一函数关系、多个所述第二函数关系、多个所述第三函数关系以及主结的设计耐压值，确定所述原参数信息，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据多个所述第二函数关系以及多个所述第三函数关系，沿着第一方向，依次确定多个所述场限环对应的所述环间距，使得各所述场限环区域可达到的耐压值不小于对应的所述最大耐压值，包括：>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种场限环终端的参数确定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据多个所述模型参数以及主结的设计耐压值，确定原参数信息，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一函数关系、多个所述第二函数关系、多个所述第三函数关系以及主结的设计耐压值，确定所述原参数信息，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据多个所述第二函数关系以及多个所述第三函数关系，沿着第一方向，依次确定多个所述场限环对应的所述环间距，使得各所述场限环区域可达到的耐压值不小于对应的所述最大耐压值，包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一函数关系包括多个数组，每个所述数组包括所述场限环的宽度、所述场限环的宽度对应的多个初始环间距以及多个所述耐压值，任意两个所述数组中的所述场限环的宽度不同，至少根据所述第一函数关系和所述设计耐压值，确定多个场限环宽度、与所述场限环宽度一一对应的多个所述场限环区域以及各所述场限环区域需满足的耐压范围，包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，对所述原参数信息进行调整，使得调整后参数信息对应的所述差值满足所述设计要求，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述差值大于预设阈值的情况下，在所述场限环终端中增加至少一个新的场限环，使得调整后场限环...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝夏敏，金锐，和峰，刘江，李翠，聂瑞芬，田宝华，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：