一种旋转镀膜装置及其控制方法制造方法及图纸

本申请提供一种旋转镀膜装置及其控制方法，涉及控制技术领域。在本申请中，至少一条气路分别与反应腔室的内腔体连通；其中，每条气路在沿着气路至内腔体的方向上依次设置气体供给设备、MFC和反应源供给设备，MFC用于控制气体供给设备提供的惰性气体的气体流量，惰性气体用于将反应源供给设备提供的反应源引入内腔体；电机控制器用于接收MFC发送的第一消息，并根据第一消息携带的气体流量确定旋转电机的目标电机转速，以及向旋转电机发送控制指令；其中，旋转电机与内腔体内的工作盘旋转连接，工作盘用于承载待镀膜的半导体，控制指令用于指示旋转电机按照目标电机转速带动工作盘旋转。故而，提高了半导体镀膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及控制，尤其涉及一种旋转镀膜装置及其控制方法。

技术介绍

1、在半导体制造的薄膜沉积（即镀膜）工艺中，常采用图1所示的镀膜装置为半导体（比如，晶圆（wafer））镀膜，通过交替引入反应源（如，source_1和source_2），在工作盘上的晶圆表面逐层沉积薄膜。如图1所示，首先，可以通过惰性气体（如，氮气（n2））和第一质量流量控制器（mass flow controller，mfc）控制气路流量，在惰性气体的携带下，将source_1引入反应腔室的内腔体，source_1在晶圆表面形成单层吸附层。接着，可以用惰性气体吹扫未吸附的source_1和副产物，将其排出反应腔室。再者，可以通过惰性气体和第二mfc控制气路流量，在惰性气体的携带下，将source_2引入反应腔室的内腔体，在晶圆表面上source_2与吸附的source_1发生化学反应，使得晶圆表面生成一个薄膜（比如，原子层薄膜）。进一步地，可以用惰性气体吹扫未反应的source_2和副产物，将其排出反应腔室。最终，通过循环交替引入source_1和source_2，逐层沉积薄膜，直至达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种旋转镀膜装置，其特征在于，包括：至少一条气路、反应腔室、电机控制器和旋转电机；其中，

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MFC与所述反应源供给设备之间的气路上设置有第一阀门，所述第一阀门用于在所述反应源供给设备向所述反应腔室提供所述反应源时，打开所述MFC与所述反应源供给设备之间的气路；

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述每条气路上还设置有气体支路，所述气体支路通过对应的气路与所述MFC和所述内腔体连通；

4.如权利要求1-3中任一项所述的装置，其特征在于，若所述气体流量小于设定的第一流量阈值，则所述目标电机转速为0；...

【技术特征摘要】

1.一种旋转镀膜装置，其特征在于，包括：至少一条气路、反应腔室、电机控制器和旋转电机；其中，

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述mfc与所述反应源供给设备之间的气路上设置有第一阀门，所述第一阀门用于在所述反应源供给设备向所述反应腔室提供所述反应源时，打开所述mfc与所述反应源供给设备之间的气路；

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述每条气路上还设置有气体支路，所述气体支路通过对应的气路与所述mfc和所述内腔体连通；

4.如权利要求1-3中任一项所述的装置，其特征在于，若所述气体流量小于设定的第一流量阈值，则所述目标电机转速为0；

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述mfc用于检测所述气体流量，并在确定所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永坡，陈志敏，姚立柱，国政，李英万，张丛，
申请(专利权)人：青岛四方思锐智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：