【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造,尤其涉及一种cmp机台金属污染检测装置及cmp机台。
技术介绍
1、在半导体制程中,晶片的金属污染会对制品的元器件性能造成不良的影响,比如,铁、镍等重金属通过扩散而进入至硅晶片中,使元器件的p-n结构中漏电流,进而影响元器件的使用性能和寿命。因此,为了监控过程中的金属污染程度,而寻求一直即时监控及高可靠性的监控方法。
2、晶圆化学机械研磨(cmp)是一个化学腐蚀与机械摩擦的结合,晶圆被固定在面朝下的研磨头上,晶圆下方的旋转机台表面覆盖有研磨垫,带有小研磨颗粒的研磨料浆流到台面上,晶圆表面物质被研磨颗粒侵蚀,并一点点磨去,再被研磨料浆冲走。通过研磨头与旋转机台的相对转动,以及磨料浆的共同作用来完成对晶圆表面研磨,从而达到抛光或平坦化的目的。
3、由于cmp制程引起的金属污染主要是因为于污染源接触(机台中的载具、基座、研磨液和容器等),从而使污染源的金属杂质附着于半导体芯片。目前半导体行业化学机械研磨机台缺少金属污染的监控机制,若不及时检测出金属污染,将会影响后续跑货晶圆的成品质量,降低产品的良
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【技术保护点】
1.一种CMP机台金属污染检测装置,其特征在于,包括:与CMP机台的排液管安装连接的金属元素检测器,用于检测所述CMP机台排出液中金属元素的浓度,所述金属元素检测器包括安装于所述排液管上的取样组件以及用于对所述取样组件的取样液进行检测的检测组件,所述检测组件可以为比色传感器、电化学传感器、荧光光谱仪或原子吸收光谱仪。
2.根据权利要求1所述的CMP机台金属污染检测装置,其特征在于,还包括与所述检测组件连接的控制器。
3.根据权利要求2所述的CMP机台金属污染检测装置,其特征在于,还包括与所述控制器连接的警报器,当检测到金属污染时,所述控制器控制
...【技术特征摘要】
1.一种cmp机台金属污染检测装置,其特征在于,包括:与cmp机台的排液管安装连接的金属元素检测器,用于检测所述cmp机台排出液中金属元素的浓度,所述金属元素检测器包括安装于所述排液管上的取样组件以及用于对所述取样组件的取样液进行检测的检测组件,所述检测组件可以为比色传感器、电化学传感器、荧光光谱仪或原子吸收光谱仪。
2.根据权利要求1所述的cmp机台金属污染检测装置,其特征在于,还包括与所述检测组件连接的控制器。
3.根据权利要求2所述的cmp机台金属污染检测装置,其特征在于,还包括与所述控制器连接的警报器,当检测到金属污染时,所述控制器控制所述警报器发出警报信息。
4.根据权利要求1所述的cmp机台金属污染检测装置,其特征在于,在所述检测组件为所述比色传感器或所述电化学传感器时,
5.根据权利要求4所述的cmp机台金属污染检测装置,其特征在于,在所述取样组件为所述液体取...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹续保,李永年,
申请(专利权)人:芯恩青岛集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:
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