【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光子探测，涉及一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器及其制备方法。
技术介绍
1、探测波长在900-1600纳米（nm）区间的高效红外探测器，作为光纤通信系统中的关键组件，扮演着至关重要的角色。这类探测器不仅能够实现高速数据传输，还在遥感探测、环境监测、医疗诊断等多个领域展现出广泛的应用潜力。因此，其性能的优化与提升一直是科研和工业界关注的热点。
2、硅（si）和锗（ge）材料，得益于其适宜的带隙宽度以及与现有商用互补金属氧化物半导体（cmos）技术的良好兼容性，长期以来被视为电信领域光电探测的理想材料。在900-1600nm的波长范围内，锗能表现出较好的光吸收特性，使得它们成为该波段光电探测器的首选。然而，当波长进一步延伸至1600-2000nm时，由于带隙宽度的限制，锗材料的折射率虚部显著减小，导致其对光的吸收效率急剧下降。这一现象对锗基光电探测器的应用构成了严峻挑战，特别是在需要高灵敏度探测的场合。
3、为了提高锗在吸收边缘附近光谱范围内的量子效率，现有技术通常是在锗探测器表面制备纳米阵列结构，这种...
【技术保护点】
1.一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述Si单晶片的晶向为001。
3.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述微球溶液的浓度为5 wt%~30 wt%。
4.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述微球直径为300-3000 nm。
5.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述水
...【技术特征摘要】
1.一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述si单晶片的晶向为001。
3.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述微球溶液的浓度为5 wt%~30 wt%。
4.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述微球直径为300-3000 nm。
5.根据权利要求1所述的一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器的制备方法，其特征在于，所述水为去离子水。
6.一种氧化硅微球阵列增强的锗探测器，其特征在于，包括锗探测器本体和其顶部间隔设置的钝化层（4）和第二金属电极（6）；所述钝化层（...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宁宁，韩钊，苗田，张一驰，王文亮，王利明，
申请(专利权)人：西安知芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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