一种磁通门传感器的性能评估方法技术

本发明专利技术公开了一种磁通门传感器的性能评估方法，属于电磁检测技术领域，本发明专利技术利用磁场发生器产生强度线性变化的磁场，并对传感器施加多种频率的励磁信号，以获取多个响应电压信号；接着，将每个响应电压信号按时间划分为前期、中期和后期的子信号；然后，提取每个子信号的电压差值，计算电压不稳定度；随后，计算电压变化率并基于此评估电压变化差距值；接下来，根据同种频率下的前期、中期和后期电压变化差距值，结合电压不稳定度的增强，得到评估分量；最后，基于多种频率下的评估分量，计算出传感器的性能评估值，提高了磁通门传感器性能评估的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁检测，具体涉及一种磁通门传感器的性能评估方法。

技术介绍

1、在现代工业和科技领域中，磁通门传感器作为一种高灵敏度的磁场测量设备，广泛应用于地球物理勘探、航空航天、医疗成像和工业检测等多个领域。随着电子技术和传感器技术的快速发展，对磁通门传感器的性能要求越来越高。目前，传统的磁通门传感器性能评估方法主要依赖于静态磁场下的参数测量，这种方法难以全面反映传感器在动态工作条件下的实际性能。现有技术通常只关注传感器的单一指标，如灵敏度或线性度，而忽视了传感器在不同工作频率和时间段内可能出现的性能波动和不稳定性。这种评估方法存在显著的局限性，无法准确捕捉传感器的动态响应特征，存在磁通门传感器的性能评估精度不高的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种磁通门传感器的性能评估方法解决了现有技术存在磁通门传感器的性能评估精度不高的问题。

2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一种磁通门传感器的性能评估方法，包括以下步骤：p>

3、s1、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述S1包括以下分步骤：

3.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述S1中磁场的表达式为：B(t) = B0+ kt，其中，B(t)为t时刻下的磁场强度，B0为初始磁场强度，k为磁场变化率，t为时刻的编号。

4.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述S3包括以下分步骤：

5.根据权利要求4所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述S33中计算电压不稳定度的...

【技术特征摘要】

1.一种磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述s1包括以下分步骤：

3.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述s1中磁场的表达式为：b(t) = b0+ kt，其中，b(t)为t时刻下的磁场强度，b0为初始磁场强度，k为磁场变化率，t为时刻的编号。

4.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述s3包括以下分步骤：

5.根据权利要求4所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述s33中计算电压不稳定度的公式为：，其中，s为电压不稳定度，e为自然常数，xi为电压差值序列中第i个元素，n为电压差值序列中元素的数量，i为元素的编号，| |为绝对值运算。

6.根据权利要求1所述的磁通门传感器的性能评估方法，其特征在于，所述s4中计算电压变化率的公式为：，其中，c为电压变化率，vt+...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱艳玲，程金晶，王晓伟，刘军，张建功，
申请(专利权)人：青岛智腾微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：