【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、随着太阳能电池技术的范围，对于太阳能电池的寿命及可靠性问题的关注日益增加。而太阳能电池的寿命及可靠性问题受到多方面因素的影响，其中，合理的电极结构属于可靠性问题的重要影响因素。
2、然而目前对于电极的设计优化主要集中在改善电极与半导体的接触和钝化效果方面，通过优化电极的结构来改善电池可靠性的技术方案相对较少。
技术实现思路
1、有鉴于此，为了至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一，本申请提供了一种太阳能电池。
2、根据本申请的实施例，提供了一种太阳能电池，包括：硅基底，包括具有导电区的表面；掺杂半导体层，位于硅基底的导电区上，掺杂半导体层包括电极区；钝化减反层，位于掺杂半导体层的远离硅基底的表面；电极，位于钝化减反层上，电极穿过钝化减反层和电极区的部分相接触；其中，位于电极区边缘的钝化减反层具有第一腐蚀区，第一腐蚀区具有多个第一孔洞。
3、根据本申请的实施例，电极区包括无孔洞的过渡区，...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极区包括无孔洞的过渡区，所述过渡区位于所述第一腐蚀区远离所述电极区边缘的一侧。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个第一孔洞中的至少部分为盲孔，和/或，盲孔的分布密度为1~40个/μm2。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极区包括第二腐蚀区，所述第二腐蚀区位于所述电极区的中间位置，所述第二腐蚀区具有多个第二孔洞。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二孔洞的孔径大于所述
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极区包括无孔洞的过渡区，所述过渡区位于所述第一腐蚀区远离所述电极区边缘的一侧。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个第一孔洞中的至少部分为盲孔，和/或，盲孔的分布密度为1~40个/μm2。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极区包括第二腐蚀区，所述第二腐蚀区位于所述电极区的中间位置，所述第二腐蚀区具有多个第二孔洞。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二孔洞的孔径大于所述第一孔洞的孔径。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电区包括n区和p区，分别位于所述太...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨亚娣，魏嘉祥，亢磊，赵赞良，平飞林，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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