【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置。
技术介绍
1、车用三维距离成像系统为了能够满足探测距离长、环境背景亮度高和行驶速度快的需求，要求系统中的图像传感器具有高时间分辨率和高增益性能，因此硅光电倍增管(silicon photomultiplier，sipm)成为车用三维距离成像系统的一种常见图像传感器形式。其中，背照式sipm传感器由于其进光路径不穿过金属互连结构层，使得入射光真正进入到光电二极管中的量大于前照式sipm传感器。
2、相关技术中的背照式sipm传感器，当处在较高的工作电压如超过40v的高压时会存在很大的漏电，导致相关技术中的背照式sipm传感器无法实现更高的光子探测效率，进而也就无法满足车用三维距离成像系统对图像传感器更高增益性能的需求。
技术实现思路
1、为了解决现有技术的问题，本申请实施例提供了一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种半导体器件，包括：
...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构均包括浅沟槽、第一衬垫层和第一遮光导电层，所述第一衬垫层形成于相应浅沟槽的侧壁和底部，所述第一遮光导电层填充相应浅沟槽的剩余空间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第二表面，所述电隔离层位于所述第一介质层背离所述第二表面的一侧，所述多晶硅位于所述电隔离层背离所述第一介质层的一侧；所述金属互连结构层形成于所述第一介质层上；
4.根据权利要求3所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构均包括浅沟槽、第一衬垫层和第一遮光导电层，所述第一衬垫层形成于相应浅沟槽的侧壁和底部，所述第一遮光导电层填充相应浅沟槽的剩余空间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第二表面，所述电隔离层位于所述第一介质层背离所述第二表面的一侧，所述多晶硅位于所述电隔离层背离所述第一介质层的一侧；所述金属互连结构层形成于所述第一介质层上；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互连结构层包括层间介电层和位于所述层间介电层的金属层，所述层间介电层覆盖所述第一介质层和所述淬灭电阻结构；
5.根据权利要求1～4中任一所述的半导体器件，其特征在于，所述深沟槽隔离结构包括深沟槽、第二衬垫层和第二遮光导电层，所述第二衬垫层形成于所述深沟槽的侧壁和底部，所述第二遮光导电层填充所述深沟槽的剩余空间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括从所述第一表面的第一区向所述半导体衬底内部延伸的倒金子塔结构，所述第一区为用于形成所述半导体衬底中的一所述光电二极管的区域；所述倒金子塔结构包括顶部朝向所述第二表面的锥形开口和填充于所述锥形开口中的介质材料；
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括浅槽结构，形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：张川，王志高，陈星，张宇清，王康杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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