【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于催化,具体涉及一种金属掺杂cu-si基催化剂及其制备方法和应用。
技术介绍
1、三氯氢硅是一种重要的有机硅单体材料,被广泛应用在各个领域。尤其在光伏太阳能和半导体芯片等领域,三氯氢硅作为一种重要的反应气体,对于硅外延片的生长发挥重要作用,亟待开发出合适的制备三氯氢硅的催化剂和制备方法。
2、目前,三氯氢硅气体的制备工艺通常采用硅氯氢化法,采用硅粉和氯化氢放入流化床或固定窗进行反应,反应温度约300℃,通常需要加入cu或者fe作为催化剂来提升转化率及选择性。然而,现有三氯氢硅的制备工艺中选择性主要受副产物sicl4的影响,这在一定程度限制的三氯氢硅的纯度;此外,还存在制备的三氯氢硅的催化剂颗粒尺寸较大,反应能耗较高等问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于针对现有技术的不足,提供了一种原位制备助剂金属m掺杂的cu-si基催化剂,实现助剂金属m与cu在si粉上的有效负载及高度均匀的分散,将其应用于制备三氯氢硅,有助于降低催化反应温度,降低催化剂用量,提高反应
...【技术保护点】
1.一种金属掺杂Cu-Si基催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铜盐为硫酸铜、氯化铜、亚硝酸铜、乙酸铜、硝酸铜、草酸铜、磷酸铜、甲酸铜、草酸铜、邻苯二甲酸铜、双二乙基磷酸铜、二甲氧基铜、二乙氧基铜中的一种以上;金属助剂盐为金属M的可溶性无机盐或有机盐的一种以上,其中,M选自Ni、Zn、Zr、Al、Fe、Mn、Co、Mo、Cr、Mg、W、Sn、Ga、In、La、Pr、Ce、Ru、Rh、Pd、Au、Ag、Pt中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述复合金属盐溶液中
...【技术特征摘要】
1.一种金属掺杂cu-si基催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铜盐为硫酸铜、氯化铜、亚硝酸铜、乙酸铜、硝酸铜、草酸铜、磷酸铜、甲酸铜、草酸铜、邻苯二甲酸铜、双二乙基磷酸铜、二甲氧基铜、二乙氧基铜中的一种以上;金属助剂盐为金属m的可溶性无机盐或有机盐的一种以上,其中,m选自ni、zn、zr、al、fe、mn、co、mo、cr、mg、w、sn、ga、in、la、pr、ce、ru、rh、pd、au、ag、pt中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述复合金属盐溶液中,铜盐的浓度为5-50wt%,金属助剂盐的浓度为1-20wt%。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)采用的极性溶剂为水、甲醇、乙醇中的一种以上;步骤2)中采用的非极性有机溶剂为苯、甲苯、氯仿、四氯化碳、石油醚、乙酸乙酯、二氯乙烷、二甲苯中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆小军,陈泇冰,姚细俊,王景平,
申请(专利权)人:武汉工程大学,
类型:发明
国别省市:
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