【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅片加工领域，涉及一种改善硅片切割过程中崩边的方法。
技术介绍
1、单晶硅的硬度非常高，其材料去除以脆性崩碎为主，因此，切割线切割硅棒过程中，崩边是其重大异常之一。常见的崩边有粘胶面崩边、倒角崩边、清洗分选磕碰崩边等，倒角崩边、磕碰崩边均为受挤压磕碰产生，而粘胶面崩边则是收刀切割工艺不匹配造成，是各种崩边里最常见，最复杂、改善难度最大的类型，粘胶面崩边形貌如图1所示。粘胶面崩边均集中在硅片的中部，如图2形貌所示，因此，硅片粘胶面中部产生崩边的原因及改善是本专利技术关注的重点。
2、鉴于当前光伏产业链降本的迫切需要，切片端的薄片化发展迅速，因此，薄片化带来的粘胶面崩边比例升高问题也亟待解决。根据最新的切割数据统计，182尺寸单晶硅片随着片厚的降低，其崩边率变化如图3所示，硅片片厚从160μm下降至150μm，崩边比例增加0.14％；硅片片厚从150μm下降至140μm，崩边比例增加0.36％；硅片片厚从140μm下降至130μm，崩边比例增加0.09％。因此，现有切割工艺已经不适合单晶薄片的切割，迫切需要匹配...
【技术保护点】
1.一种改善硅片切割过程中崩边的方法，所述方法适用于使用切割线进行硅片切割，其特征在于，在收刀阶段，降低所述切割线的线速度后保持匀速。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，在降低切割线的线速度并保持匀速步骤之前，减小所述切割线的线弓。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，降低所述切割线的台速至设定值后保持匀速和/或提高切割线的循环量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，所述切割线的进线量小于回线量。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割线包...
【技术特征摘要】
1.一种改善硅片切割过程中崩边的方法，所述方法适用于使用切割线进行硅片切割，其特征在于，在收刀阶段，降低所述切割线的线速度后保持匀速。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，在降低切割线的线速度并保持匀速步骤之前，减小所述切割线的线弓。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，降低所述切割线的台速至设定值后保持匀速和/或提高切割线的循环量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述收刀阶段，所述切割线的进线量小于回线量。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割线包括综合线径为47～53μm的金刚线...
【专利技术属性】
技术研发人员：林晴，
申请(专利权)人：阿特斯光伏电力洛阳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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