【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
1、随着半导体工艺技术的不断发展，器件的特征尺寸(critical dimension，cd)越来越小，芯片的集成度也越来越高。高集成度使得芯片在工作时会产生大量的热量，热量导致的温度上升会影响芯片的性能。对于高集成度的芯片而言，散热变得非常困难。目前常见的多层堆叠结构芯片叠层较多，芯片工作区域密度更集中，工作时产生的热量如果不能及时有效地散出去，将会逐渐积累，加速芯片老化，严重可导致芯片失效。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器。
2、本公开实施例提供了一种存储器，包括：衬底，所述衬底内设置有散热结构；位于所述衬底上的半导体结构。
3、在一种可选的实施方式中，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体结构在所述第一区域的工作温度高于在所述第二区域的工作温度，所述散热结构在所述第一区域的设置密度大于在所述第二区域的设置密度。
4、在一种可选的实施方式中，所述散热结构在所述第一区域内的间...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体结构在所述第一区域的工作温度高于在所述第二区域的工作温度，所述散热结构在所述第一区域的设置密度大于在所述第二区域的设置密度。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述散热结构在所述第一区域内的间隔小于在第二区域内的间隔，和/或，所述散热结构在所述第一区域内的尺寸大于在所述第二区域内的尺寸。
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括彼此交替连接的第一子通道和第二子通道；其中，多条所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体结构在所述第一区域的工作温度高于在所述第二区域的工作温度，所述散热结构在所述第一区域的设置密度大于在所述第二区域的设置密度。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述散热结构在所述第一区域内的间隔小于在第二区域内的间隔，和/或，所述散热结构在所述第一区域内的尺寸大于在所述第二区域内的尺寸。
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括彼此交替连接的第一子通道和第二子通道；其中，多条所述第一子通道沿平行于所述衬底表面的第一方向彼此平行排布；所述第一子通道和所述第二子通道之间的夹角大于或等于90度。
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，位于所述第一区域的相邻的所述第一子通道之间的间隔小于位于第二区域的相邻的所述第一子通道之间的间隔，和/或，沿平行于所述衬底表面的第二方向，位于所述第一区域的所述第一子通道的尺寸大于位于第二区域的所述第一子通道的尺寸；其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：周凌珺，杨红心，陈彬，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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