【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、传统ims(铝基板)模块封装结构中，一般合封场效应管和控制芯片。且场效应管和控制芯片采用同层间隔的方式设置在ims之上。场效应管共有三个极，分别为栅极、源极、漏极，漏极通过粘合剂与ims(铝基板)相连，栅极与源极分别通过打金属线的方式与ims(铝基板)相应引脚相连；控制芯片与栅极相连，信号端通过打线与ims(铝基板)连接，从而实现线路导通。
2、这类封装结构因产品尺寸固定，在有限封装结构尺寸内，不能排布大电流大电压功率芯片和器件(大电流大电压功率芯片面积较大)，影响产品的功率及功能输出。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构，其包括：
2、基板，具有相互背离的第一表面和第二表面，所述第一表面设有电路及与所述电路连接的芯片焊接区、多个内引脚焊接区及多个电极焊接区；
3、第一芯片，具有正面和背面，所述第一芯片的正面设有第一极和第二极，所述第一芯片的背面设有第三极，所述第一芯片的背面朝向所述基板，所述第三极焊接于芯片焊接区之上；
4、至少两个片状电连接件，用于分别将所述第一芯片正面的第一极和第二极连接至所述基板上不同的电极焊接区上；
5、包封组件，包括第二芯片、与所述第二芯片连接的多个内引脚，以及包封体，所述包封体包覆所述第二芯片及所述内引脚；所述包封体具有相互背离的第三表面和第四表面，所述内引脚部分外露并延伸至所述第三表面所在侧之外；所述包封组
6、在一些实施例中，所述包封组件还包括第三芯片；所述包封体还包覆所述第三芯片；
7、所述第三芯片与所述第二芯片同层设置。
8、在一些实施例中，所述包封组件还包括位于所述包封体内部的引线框基岛；
9、所述第二芯片具有正面和背面，所述第二芯片的正面设有多个电极，所述第二芯片背面朝向所述引线框基岛设于所述引线框基岛之上；
10、所述第三芯片具有正面和背面，所述第三芯片的正面设有多个电极，所述第三芯片背面朝向所述引线框基岛设于所述引线框基岛之上。
11、在一些实施例中，所述包封组件还包括多条引线，多条所述引线中一部分用于连接所述第二芯片正面的电极与对应的内引脚，多条所述引线中另一部分用于连接所述第三芯片正面的电极与对应的内引脚。
12、在一些实施例中，所述第一表面设有位于所述芯片焊接区至少一侧的多个外引脚焊接区，多个所述外引脚焊接区与所述电路连接；所述半导体结构还包括多个外出引脚；多个所述外出引脚分别焊接于多个所述外引脚焊接区；
13、所述芯片焊接区、多个电极焊接区、多个内引脚焊接区、多个外引脚焊接区以及第一芯片的第一极和第二极之上均设置有导电焊料，所述第一芯片通过所述导电焊料焊接于所述芯片焊接区，所述多个内引脚分别通过导电焊料焊接于多个所述内引脚焊接区，所述多个外出引脚分别通过导电焊料焊接于多个所述外引脚焊接区，至少一个片状电连接件通过导电焊料焊接于所述第一极和对应的电极焊接区，至少一个片状电连接件通过导电焊料焊接于所述第二极和对应的电极焊接区。
14、在一些实施例中，所述半导体结构包括塑封体，所述塑封体包覆设于所述基板第一表面一侧的第一芯片、包封组件、所述至少两个片状电连接件以及所述基板第一表面露出的部分；和/或
15、所述第一芯片为mos芯片，所述第二芯片为ic芯片，所述第三芯片为mcu芯片。
16、本申请实施例另提供了一种半导体结构的制备方法，其包括：
17、将第一芯片设于基板之上；基板具有相互背离的第一表面和第二表面，所述第一表面设有电路及与所述电路连接的芯片焊接区、多个内引脚焊接区及多个电极焊接区；所述第一芯片具有正面和背面，所述第一芯片的正面设有第一极和第二极，所述第一芯片的背面设有第三极，所述第一芯片的背面朝向所述基板，所述第三极焊接于芯片焊接区之上；
18、设置至少两个片状电连接件；所述至少两个片状电连接件分别将所述第一芯片正面的第一极和第二极连接至所述基板上不同的电极焊接区上；
19、设置包封组件；所述包封组件包括第二芯片、与所述第二芯片连接的多个内引脚，以及包封体；所述包封体包覆所述第二芯片及所述内引脚；所述包封体具有相互背离的第三表面和第四表面，所述内引脚部分外露并延伸至所述第三表面所在侧之外；所述包封组件设于所述基板之上，所述包封体的第三表面朝向所述基板，多个所述内引脚分别焊接于多个所述内引脚焊接区，且所述第一芯片位于所述包封体和所述基板之间。
20、在一些实施例中，所述包封组件还包括第三芯片，所述包封体还包覆所述第三芯片；
21、所述第三芯片与所述第二芯片同层设置。
22、在一些实施例中，在设置包封组件之前，所述方法包括：
23、将第二芯片和引线框进行组装；所述引线框包括引线框基岛及位于引线框基岛至少一侧的多个内引脚；所述第二芯片具有正面和背面，所述第二芯片的正面设有多个电极，所述第二芯片背面朝向所述引线框基岛设于所述引线框基岛之上，所述第二芯片的多个电极分别与多个所述内引脚分别连接；
24、设置包封体，形成包封组件。
25、在一些实施例中，所述包封组件包括有第三芯片的，在设置包封体之前，所述方法还包括：
26、设置第三芯片；所述第三芯片具有正面和背面，所述第三芯片的正面设有多个电极，所述第三芯片背面朝向所述引线框基岛设于所述引线框基岛之上；
27、在设置第三芯片之后，设置包封体之前，所述方法包括：
28、设置多条引线，多条所述引线中一部分用于连接所述第二芯片正面的电极与对应的内引脚，多条所述引线中另一部分用于连接所述第三芯片正面的电极与对应的内引脚。
29、在一些实施例中，在设置包封组件之后，所述方法包括：
30、设置多个外出引脚；所述第一表面设有位于所述芯片焊接区至少一侧的多个外引脚焊接区，多个所述外引脚焊接区与所述电路连接；多个所述外出引脚分别焊接于多个所述外引脚焊接区；
31、在将第一芯片设于基板之上之前，所述方法包括：在芯片焊接区、多个电极焊接区及多个内引脚焊接区、多个外引脚焊接区设置导电焊料；
32、在设置多个外出引脚之后，所述方法包括：
33、对所述导电焊料进行回流固化。
34、在一些实施例中，在设置多个外出引脚之后之后，所述方法包括：
35、形成塑封体；所述塑封体包覆设于所述基板第一表面一侧的第一芯片、包封组件、所述至少两个片状电连接件以及所述基板第一表面露出的部分。
36、本申请实施例所达到的主要技术效果是：
37、本申请实施例提供的半导体结构及其制造方法，通过将包括第二芯片本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括第三芯片；所述包封体还包覆所述第三芯片；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括位于所述包封体内部的引线框基岛；
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括多条引线，多条所述引线中一部分用于连接所述第二芯片正面的电极与对应的内引脚，多条所述引线中另一部分用于连接所述第三芯片正面的电极与对应的内引脚。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一表面设有位于所述芯片焊接区至少一侧的多个外引脚焊接区，多个所述外引脚焊接区与所述电路连接；所述半导体结构还包括多个外出引脚；多个所述外出引脚分别焊接于多个所述外引脚焊接区；
6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括塑封体，所述塑封体包覆设于所述基板第一表面一侧的第一芯片、包封组件、所述至少两个片状电连接件以及所述基板第一表面露出的部分；和/或
7.一种半导体结构的制备方法，其
8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述包封组件还包括第三芯片，所述包封体还包覆所述第三芯片；
9.如权利要求7或8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在设置包封组件之前，所述方法包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述包封组件包括有第三芯片的，在设置包封体之前，所述方法还包括：
11.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在设置包封组件之后，所述方法包括：
12.如权利要求11中所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在设置多个外出引脚之后，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括第三芯片；所述包封体还包覆所述第三芯片；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括位于所述包封体内部的引线框基岛；
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述包封组件还包括多条引线，多条所述引线中一部分用于连接所述第二芯片正面的电极与对应的内引脚，多条所述引线中另一部分用于连接所述第三芯片正面的电极与对应的内引脚。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一表面设有位于所述芯片焊接区至少一侧的多个外引脚焊接区，多个所述外引脚焊接区与所述电路连接；所述半导体结构还包括多个外出引脚；多个所述外出引脚分别焊接于多个所述外引脚焊接区；
6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈堂芹，潘效飞，龚平，顾振宇，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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