一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路及超外差系统技术方案

本发明专利技术属于半导体器件集成领域，具体为一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路及超外差系统，包括射频功分合成单元、混频器A单元、混频器B单元、本振相位切换单元、中频相位切换单元和中频功分合成单元，其中混频器A单元和混频器B单元采用相同电路结构和参数，本振相位切换单元和中频相位切换单元内部均集成有数控移相器和移相控制单元，通过控制移相控制单元中开关切换状态，使两个支路达成在相位上相对超前90°或滞后90°的状态。本发明专利技术在射频频率高于本振频率、以及射频频率低于本振频率两种模式下，均实现镜像抑制功能。采用本发明专利技术的单片集成变频电路应用于超外差系统后，具有更好的频率选择性、抗干扰和低杂散特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件集成领域，特别是涉及一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路及超外差系统。

技术介绍

1、在当前雷达系统和通信系统中，变频体制存在于接收机和发射机中，超外差式和低中频式是收发系统内典型的应用架构，为防止镜像信号带来的干扰，往往需要引入滤波器对镜像信号进行抑制，然而采用滤波器进行抑制会增加链路的尺寸和成本，所以当前使用架构较多的是hartley提出的镜像抑制结构。这种结构实现镜像抑制方式是：先将射频输入信号与本振的两路正交信号进行混频，接着经过低通滤波得到两路正交的中频信号，随后把其中一路中频信号进行90°移相，再与另一路中频信号进行叠加，最终实现对镜像信号进行抑制的目的，这种通过正交本振和正交中频进行混频以实现镜像抑制的方法提出后，便得到了广泛应用。

2、基于hartley的理念，chang-wan kim等人于2006年在ieee microwave andwireless components letters期刊中发表的“a 5.25-ghz image rejection rf front-end receiver 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，包括：射频功分合成单元、混频器A单元、混频器B单元、本振相位切换单元、中频相位切换单元、中频功分合成单元；

2.根据权利要求1所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其实现的变频方式支持接收和发射两种工作模式；

3.根据权利要求1所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述本振相位切换单元包括本振放大单元、本振功分单元、以及移相处理单元；

4.根据权利要求3所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述本振...

【技术特征摘要】

1.一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，包括：射频功分合成单元、混频器a单元、混频器b单元、本振相位切换单元、中频相位切换单元、中频功分合成单元；

2.根据权利要求1所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其实现的变频方式支持接收和发射两种工作模式；

3.根据权利要求1所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述本振相位切换单元包括本振放大单元、本振功分单元、以及移相处理单元；

4.根据权利要求3所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，所述本振放大单元为有源放大器，四个本振移相单元的相移均采用数控移相器电路实现。

5.根据权利要求3所述的一种具有镜像抑制切换的单片集成变频电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，徐跃杭，唐博文，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：