【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工的，具体涉及了一种用于沉积工艺的导流块、一种上盖板结构，以及一种沉积设备。
技术介绍
1、在半导体加工的沉积设备中，上盖板和导流块可以形成气流腔室，工艺气体通过导流块进入反应腔，用于在反应腔内进行沉积工艺。
2、然而，目前的沉积设备，例如，可流动化学气相沉积设备(flowable cvd)所制备的氧化物薄膜，通常薄膜的中心位置的膜厚(thickness，thk)偏低。原因在于，现有技术中的导流块的底部为平面结构，因此，导入的工艺气体经由导流块的表面导流至其边缘，导致了反应腔内的工艺气体大多数都被集中导流到了边缘区域，反应腔内的中心区域气流较少。也就是说，反应腔内的中心区域的气流密度较低，从而容易导致制备出的薄膜的中心区域的膜厚偏低于其他区域的膜厚。
3、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种用于沉积工艺的导流技术，能够促使部分工艺气体流向反应腔内的中心区域，从而提高中心区域的气流密度，解决制备出的薄膜的中心区域膜厚偏低的问题。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种用于沉积工艺的导流块，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第二导流部的所述弧面结构的底部的中心点与其上部的边缘处之间的连线与水平线之间的夹角范围在15°～45°。
3.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第一导流部的高度尺寸范围在20mm～40mm。
4.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第一导流部的宽度尺寸范围在35mm～55mm。
5.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，在所述第一导流部的梯形圆柱体的表面的预设位置包括斜面拐点，所述斜面拐点上方的第一斜面具有第一倾...
【技术特征摘要】
1.一种用于沉积工艺的导流块，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第二导流部的所述弧面结构的底部的中心点与其上部的边缘处之间的连线与水平线之间的夹角范围在15°～45°。
3.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第一导流部的高度尺寸范围在20mm～40mm。
4.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，所述第一导流部的宽度尺寸范围在35mm～55mm。
5.如权利要求1所述的导流块，其特征在于，在所述第一导流部的梯形圆柱体的表面的预设位置包括斜面拐点，所述斜面拐点上方的第一斜面具有第一倾斜角度，所述斜面拐点下方的第二斜面具有第二倾...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙薇，吕秋雨，李俊红，张士勇，李洪昊，邓浩，李连杰，方成，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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