晶体生长腔体观察窗组件和晶体生长设备制造技术

本技术公开了一种晶体生长腔体观察窗组件和晶体生长设备，涉及半导体晶体生长设备技术领域，晶体生长腔体观察窗组件应用于晶体生长炉腔，晶体生长炉腔的顶部设有观察窗本体，观察窗本体朝向晶体生长炉腔内的待观察区域，晶体生长腔体观察窗组件包括转动结构和遮挡件，转动结构用于穿设于晶体生长炉腔顶部的内外两侧并与晶体生长炉腔转动连接；遮挡件连接于转动结构的底部；在遮挡状态下，遮挡件用于随转动结构转动至第一预设角度，以使遮挡件阻隔于观察窗本体与待观察区域之间；在观察状态下，遮挡件用于随转动结构转动至第二预设角度，以使从观察窗本体的位置可观察到待观察区域。本方案利用遮挡件为观察窗本体提供隔热与阻隔挥发物的效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体晶体生长设备，特别涉及一种晶体生长腔体观察窗组件和晶体生长设备。

技术介绍

1、晶体生长设备是一种用于制备半导体晶体材料的设备，其通常具有晶体生长炉。为了方便观察晶体生长情况及定时检测晶体生长的温度，通常会在晶体生长炉的腔体开观察窗安装红外温度检测仪跟工业相机，由于坩埚保温层的遮挡，观察窗一般会安装在晶体生长炉的顶部，从而观察籽晶的生长状态。晶体制备过程中，在晶体生长炉内，感应线圈会将将坩埚加热到1800-2300摄氏度时，而晶体生长炉的腔体顶部是热辐射温度最高的部位，时间长了容易使观察窗裂开。因此，现在市场上观察窗是使用双层中空结构，双层中空结构内部通水冷却，避免观察窗达到高温状态。

2、但是上述观察窗结构在内部有水流动的时候相机会观察到水影存在，导致观察受到影响；此外，红外测温仪的红外光透过水会影响测温的准确性。另外，在氧化镓晶体生长过程中，石墨坩埚及氧化镓会有小部分挥发，挥发物会粘在炉子的顶部以及观察窗的位置，影响观察。

技术实现思路

1、本技术的主要目的是提出一种晶体生长腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，应用于晶体生长炉腔，所述晶体生长炉腔的顶部设有观察窗本体，所述观察窗本体朝向所述晶体生长炉腔内的待观察区域，所述晶体生长腔体观察窗组件包括：

2.如权利要求1所述的晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，所述转动结构包括轴体和轴套；

3.如权利要求2所述的晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，所述轴套的顶部端面设有第一凹陷部，所述第一凹陷部环绕所述轴套的中心轴设置，所述第一凹陷部与所述轴套的内腔壁连通，所述第一凹陷部与所述轴体的外侧壁之间构成第一容纳槽；所述密封圈设置在所述第一容纳槽内；

4.如权利要求3所述的晶体...

【技术特征摘要】

1.一种晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，应用于晶体生长炉腔，所述晶体生长炉腔的顶部设有观察窗本体，所述观察窗本体朝向所述晶体生长炉腔内的待观察区域，所述晶体生长腔体观察窗组件包括：

2.如权利要求1所述的晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，所述转动结构包括轴体和轴套；

3.如权利要求2所述的晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，所述轴套的顶部端面设有第一凹陷部，所述第一凹陷部环绕所述轴套的中心轴设置，所述第一凹陷部与所述轴套的内腔壁连通，所述第一凹陷部与所述轴体的外侧壁之间构成第一容纳槽；所述密封圈设置在所述第一容纳槽内；

4.如权利要求3所述的晶体生长腔体观察窗组件，其特征在于，所述第一凹陷部沿径向靠近所述轴体的方向向下倾斜设置，以使所述第一容纳槽呈楔形结构；

5.如权利要求3所述的晶体生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光贤，黄源英，臧朴，
申请(专利权)人：广州海创产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：