多相交错并联电路中功率器件的布局方法技术

本发明专利技术提供一种多相交错并联电路中高侧和低侧功率器件的布局方法，针对存在单片集成的多相功率器件构成的多相交错并联电路，采用对称的封装及PCB设计，保持各相电路寄生参数的一致性；亦可采用Si interposer或PCB方案，或键合方案，将高侧晶粒和低侧晶粒堆叠放置，在保持寄生参数一致性的同时，进一步降低高侧和低侧单片集成多相功率器件之间的寄生参数，解决各相电路的寄生参数不一致造成的各相不均流问题，同时提升交错并联电路系统的高频特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路集成，更具体地，涉及一种多相交错并联电路中高侧与和低侧功率器件的布局方法。

技术介绍

1、随着数据中心的快速发展，尤其是人工智能技术的发展，xpu核心芯片越来越大，算力和功耗越来越强，对供电变换器的要求也逐渐增加：(1)输出电流大，且负载电流变化快，要求变换器具有在不同负载情况下较高的效率；(2)输出电压低，且为避免电压纹波干扰数字电路逻辑，要求变换器输出电压纹波低；(3)xpu对面积需求更大，需要降低变换器体积，其中主要是减少无源元件的体积。

2、为解决上述问题，电路设计者们提出多相交错并联的变换器设计，如图1所示。

3、虽然交错并联变换器具备大电流、低纹波输出的优点，但是如何保证各相支路电流均衡分配也是不可忽视的问题。相间电流失衡，会使得各相支路元器件电流应力不相同，造成变换器使用寿命降低、甚至导致由变换器崩溃引发的供电系统瘫痪。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种多相交错并联电路中高侧与和低侧功率器件的布局方法，解决了由于多相交错本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多相交错并联电路中高侧和低侧功率器件的布局方法，其特征在于，所述多相交错并联电路包括高侧多相功率器件和低侧多相功率器件，所述高侧多相功率器件集成在高侧晶粒上，所述低侧多相功率器件集成在低侧晶粒上，所述布局方法包括；

2.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述高侧多相功率器件和所述低侧多相功率器件均包括多个功率器件，将所述高侧多相功率器件和所述低侧多相功率器件分别在所述高侧晶粒上和所述低侧晶粒上呈一列分布，使得所述多相交错并联电路中的各相电路的寄生参数保持一致，包括：

3.根据权利要求2所述的布局方法，其特征在于，所述高侧各相功率器件的源电极所在的高...

【技术特征摘要】

1.一种多相交错并联电路中高侧和低侧功率器件的布局方法，其特征在于，所述多相交错并联电路包括高侧多相功率器件和低侧多相功率器件，所述高侧多相功率器件集成在高侧晶粒上，所述低侧多相功率器件集成在低侧晶粒上，所述布局方法包括；

2.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述高侧多相功率器件和所述低侧多相功率器件均包括多个功率器件，将所述高侧多相功率器件和所述低侧多相功率器件分别在所述高侧晶粒上和所述低侧晶粒上呈一列分布，使得所述多相交错并联电路中的各相电路的寄生参数保持一致，包括：

3.根据权利要求2所述的布局方法，其特征在于，所述高侧各相功率器件的源电极所在的高侧封装框架的一侧与所述低侧各相功率器件的漏电极所在的低侧封装框架的一侧靠近。

4.根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，将所述高侧晶粒和所述低侧晶粒呈上下堆叠放置，并基于siinterposer方案或pcb方案或键合方案，对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何俊蕾，李思超，刘逸夫，沈晓安，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：