用于HMDSO热稳定性的方法技术

本公开内容的多个实施方式一般涉及用于形成有机发光二极管(OLED)装置的方法。形成所述OLED装置包括在衬底上沉积第一阻挡层，该衬底上设置有OLED结构。随后在所述第一阻挡层上沉积缓冲层的第一子层。用混合气体等离子体固化所述缓冲层的所述第一子层。固化所述第一子层包括在所述固化发生的工艺腔室中从所述混合气体等离子体产生水。所述第一子层的所述沉积和所述第一子层的所述固化被重复一次或多次以形成完成的缓冲层。随后在所述完成的缓冲层上沉积第二阻挡层。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容的多个实施方式一般涉及用于形成有机发光二极管(oled)装置的方法，更特定地涉及用于封装oled结构的方法。
技术介绍
oled用在制造用于显示信息的电视屏幕、计算机显示器、移动电话、其他手持装置等中。近来，oled显示器由于oled显示器的诸如与液晶显示器(lcd)相比更快的响应时间、更大的视角、更高的对比度、更轻的重量、更低的功率和对柔性衬底的顺从性而在显示应用中赢得了可观的关注度。oled结构可能具有有限的使用寿命，其特征在于电致发光效率的下降和驱动电压的增大。oled结构退化的主要原因是由于湿气或氧气进入而形成非发射暗点。由于这个原因，通常通过夹在无机层之间的有机层来封装oled结构。利用有机层填充第一无机层中的任何空隙或缺陷以使得第二无机层具有实质上均匀的表面或沉积。因此，需要用于封装oled结构的改进的方法和设备。

技术介绍

0、背景

技术实现思路

1、本公开内容的多个实施方式一般涉及用于形成oled装置的方法。形成oled装置包括在衬底上沉积第一阻挡层，该衬底上设置有oled结构。随后在第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机发光二极管(OLED)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中所述缓冲层包括氟化等离子体聚合六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)。

3.根据权利要求1所述的OLED装置，其中所述多个子层在2个子层到16个子层之间，其中所述多个子层的每个子层被固化约10秒到约30秒。

4.根据权利要求1所述的OLED装置，进一步包括设置在所述缓冲层上的第二阻挡层，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的至少一者包括SiN、SiON、SiO2、Al2O3或AlN。

5.根据权利要求1所述的OLED装置，其中所述多个子层的每个子层的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种有机发光二极管(oled)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的oled装置，其中所述缓冲层包括氟化等离子体聚合六甲基二硅氧烷(pp-hmdso:f)。

3.根据权利要求1所述的oled装置，其中所述多个子层在2个子层到16个子层之间，其中所述多个子层的每个子层被固化约10秒到约30秒。

4.根据权利要求1所述的oled装置，进一步包括设置在所述缓冲层上的第二阻挡层，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的至少一者包括sin、sion、sio2、al2o3或aln。

5.根据权利要求1所述的oled装置，其中所述多个子层的每个子层的厚度在约0.05μm到约0.2μm之间。

6.根据权利要求1所述的oled装置，其中当所述多个子层的每一者被固化时，水产生自所述混合气体等离子体，并且其中所述混合气体等离子体包括选自由(a)nh3和n2o、(b)h2和n2o、(c)h2和o2、或(d)nh3和o2所组成的群组中的至少一对。

7.根据权利要求1所述的oled装置，其中所述缓冲层的厚度在约0.5μm到约1.5μm之间。

8.根据权利要求1所述的oled装置，其中所述缓冲层设置在所述第一阻挡层上。

9.一种有机发光二极管(oled)装置，包括：

10.根据权利要求9所述的oled装置，其中所述缓冲层的厚度在约0.5μm到约1.5μm之间。

11.根据权利要求9所述的oled装置，其中所述缓冲层包括氟化等离子体聚合六甲基二硅氧烷(pp-hmdso:f)。

12.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文豪，陈志坚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：