双重扫描式离子植入系统技术方案

本发明专利技术涉及双重扫描式离子植入系统。依据本发明专利技术一个实施例的双重扫描式离子植入系统包括：处理腔，进行离子束扫描；第一及第二扫描机器人，配置在所述处理腔内部；及，设备前端模块(EFEM)，设于所述处理腔一侧，安装复数个晶片盒；处理腔内部的第一及第二扫描机器人各自通过不重叠的不同晶片扫描移送路径从所述设备前端模块(EFEM)接受晶片后，所述第一及第二扫描机器人交替进行离子束扫描。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术揭示一种双重扫描式离子植入系统，更具体地，该双重扫描式离子植入系统解决了现有的单一离子扫描机器人把为了更换晶片而进行的搬入搬出搬送及扫描全部独自处理而在晶片搬送期间完全无法进行扫描并从而导致晶片处理效率(throughput)大幅降低的问题、搬送期间浪费高价离子束的问题。

技术介绍

1、半导体器件制造工艺通常在硅晶片上反复进行氧化工艺、光蚀刻工艺、扩散工艺、离子注入工艺及金属工艺等。

2、所述工艺中的离子注入工艺指的是利用预设能量把带着电荷的杂质按照所需量与所需深度注入晶片。半导体工艺中离子注入工艺通常指的是在硅晶片的表面注入掺杂物(dopant)离子。

3、用于离子注入工艺的离子注入装置(ion implanter)由下列四个主要部分构成。

4、这些主要部分可区分成下列区域：作为提取离子束(ion beam)的区域的离子源(ion source)区域、包括把所提取的离子束按照所需质量予以分类的质量分析器(massanalyzer)和作为离子束经过的通路的光束线(beam line)的终端(terminal)区本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的双重扫描式离子植入系统，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：崔文寿，崔永，孙容宣，金正植，朱成真，
申请(专利权)人：耐贝尔株式会社，
类型：发明
国别省市：