一种芯片、芯片设计方法、制造方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种芯片、芯片设计方法、制造方法及装置，涉及集成电路领域，能在保证三维集成芯片的测试结构被设置的同时，提高芯片主体结构对芯片面积的利用率。该芯片包括：主体结构和测试结构，主体结构和测试结构分布于待设计芯片的多个晶粒中，多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，第一晶粒与第二晶粒用于彼此堆叠混合键合，形成键合晶粒组；测试结构包括至少两个关键组件；键合晶粒组的预设位置设置有主体结构的至少一部分元素，预设位置包括以下至少一项：至少一个关键组件的沿第一方向的投影覆盖范围；与至少一个关键组件的边缘之间的距离或与该关键组件的沿第一方向的投影覆盖范围的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种芯片、芯片设计方法、制造方法及装置。

技术介绍

1、wat (wafer acceptance test，晶圆允收测试) 是在晶圆产品流片结束之后，通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求，wat数据可以作为晶圆产品交货的质量凭证。

2、对于传统的二维集成芯片而言，wat所需的测试结构一般被制作在晶粒之间的切割道上。类似地，以w2w（wafer to wafer，晶圆-晶圆）键合方式三维集成的芯片，由于同一芯片中，各晶粒（例如顶部晶粒和底部晶粒）的形状和尺寸相同，各晶粒的切割道也是完全对应的，因此，三维wat的测试结构也可以在切割道上制作。而对于c2w（chip to wafer，芯片-晶圆）键合方式三维集成的芯片而言，由于同一芯片中，各晶粒的形状和尺寸不完全相同，例如，顶部晶粒比底部晶粒小，因此，底部晶圆上存在切割道，而顶部晶粒中并不存在对应的切割道，即，三维wat的测试结构在切割道上没有合适的设置空间。为此，相关技术中，常常在芯片上划分出部分区域用于设置三维w本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述键合晶粒组中的每个晶粒包括沿所述第一方向堆叠的多个结构层，每个所述关键组件设置于其中一个或多个所述结构层中，所述预设位置包括以下至少一项：至少一个所述关键组件在任一所述结构层上的所述投影覆盖范围内；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的沿所述第一方向的投影覆盖范围的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述关键组件的种类包括以下至少一种：测试焊盘、第一金属图案...

【技术特征摘要】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述键合晶粒组中的每个晶粒包括沿所述第一方向堆叠的多个结构层，每个所述关键组件设置于其中一个或多个所述结构层中，所述预设位置包括以下至少一项：至少一个所述关键组件在任一所述结构层上的所述投影覆盖范围内；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的沿所述第一方向的投影覆盖范围的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述关键组件的种类包括以下至少一种：测试焊盘、第一金属图案、硅通孔、第二金属图案、混合键合结构、第三金属图案；每个种类的所述关键组件的数量为一个或多个。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第二金属图案包括至少一个目标金属图案，每个所述目标金属图案的一端与一个所述硅通孔电连接，另一端与一个所述混合键合结构电连接；彼此电连接的所述第一金属图案、所述硅通孔、所述目标金属图案、所述混合键合结构在所述第一方向上彼此对准。

6.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，各所述测试焊盘排列为预设形状，所述预设形状与测试设备的探针卡中的探针的排列形状相对应，各所述测试焊盘用于与所述探针卡上的各探针电连接。

7.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，每个所述第一金属图案与一个所述测试焊盘电连接，彼此电连接的所述第一金属图案和所述测试焊盘在所述第一方向彼此对准或彼此不对准。

8.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，彼此电连接的所述第二金属图案、所述混合键合结构、所述第三金属图案在所述第一方向上彼此对准。

9.一种芯片设计方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述键合晶粒组中的每个晶粒包括沿所述第一方向堆叠的多个结构层，每个所述关键组件设置于其中一个或多个所述结构层中，所述预设位置包括以下至少一项：至少一个所述关键组件在任一所述结构层上的所述投影覆盖范围内；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置；任一所述结构层中，与至少一个所述关键组件的沿所述第一方向的投影覆盖范围的边缘之间的距离小于预设距离阈值的位置。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述关键组件的种类包括以下至少一种：测试焊盘、第一金属图案、硅通孔、第二金属图案、混合键合结构、第三金属图案；每个种类的所述关键组件的数量为一个或多个；

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述键合晶粒组对应的设计文件中设计所述测试结构包括：

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述键合晶粒组对应的设计文件中设计所述测试结构包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述键合晶粒组对应的设计文件中设计所述测试结构之...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛小帝，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：