【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积，具体是一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法。
技术介绍
1、微波等离子体化学气相沉积技术是公认的制备大尺寸高品质单晶金刚石的理想手段之一，微波等离子体化学气相沉积技术大致为微波通过特殊设计的谐振腔谐振后在样品台上方区域形成集中的电场，将氢气、甲烷等原料气体解离形成原子氢和一系列含碳前驱体等离子体，随后在冷却到一定温度的籽晶表面沉积生长金刚石：
2、例如现有专利申请号：202410702675.4的申请提供的一种基片台系统mpcvd设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。
3、以上述基片台系统mpcvd设备为例，基片台为金刚石生长的主要支撑结构，但是基片台周围支撑结构存在缝隙凹陷，在金刚石生长过程中，金刚石以及衍生物会沉积在缝隙凹陷中，后续设备清理较为麻烦，且常见基片台为单晶硅片材料，通过强酸溶解基片台的方式来实现金刚石片的...
【技术保护点】
1.一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤一具体如下：将钼载盘（1）和不锈钢环（2）放入去离子水中超声清洗30分钟。
3.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤二具体如下：将钼载盘（1）和不锈钢环（2）放入CDA环境中吹扫干燥，去除表面水分。
4.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤三具体如下：将钼载盘（1）放置到不锈钢环（2）中，将衬...
【技术特征摘要】
1.一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤一具体如下：将钼载盘（1）和不锈钢环（2）放入去离子水中超声清洗30分钟。
3.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤二具体如下：将钼载盘（1）和不锈钢环（2）放入cda环境中吹扫干燥，去除表面水分。
4.根据权利要求1所述的一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：所述步骤三具体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘永宁，赵俊芳，乔耀明，
申请(专利权)人：碳方程半导体设备制造山西有限公司，
类型：发明
国别省市：
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