【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，具体涉及晶圆研磨基准石英片供料系统。
技术介绍
1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的衬底硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在晶圆的生产过程中，有一项工艺是对晶圆的双面进行研磨。晶圆研磨的技术众多，现代半导体工业中普遍采用的研磨方法为化学-机械研磨法（chemical mechanicalpolish，cmp），研磨过程中通过测量一起研磨的基准石英片厚度来确定晶圆研磨的厚度，因此，晶圆研磨基准石英片供料系统是半导体加工工艺中的重要一环，即晶圆研磨时需要将基准石英片（用于定义晶圆的厚度）放入相应的凹槽中。
2、目前，这一工序主要由人工来完成，生产效率较低，操作人员劳动强度大，且精度低，容易产生拿错基准石英片的风险，极易影响晶圆品质。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种晶圆研磨基准石英片供料系统，以解决放置基准石英片效率较低的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种晶圆研磨基准石英片供料系统，包括：石英片供料装置、移载检查装...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨基准石英片供料系统，其特征在于，包括：石英片供料装置（1）、移载检查装置（4）、机械手臂（5）和控制系统（7）；所述移载检查装置（4）设置在所述机械手臂（5）的端部；所述移载检查装置（4）包括拾取部；
2.根据权利要求1所述的供料系统，其特征在于，所述石英片供料装置（1）包括托盘在位传感器（103）、第一托盘（104）、第二托盘（106）、第一检测传感器（108）和第二检测传感器（109）；所述第一托盘（104）、所述第二托盘（106）均为可拆卸结构；
3.根据权利要求2所述的供料系统，其特征在于，所述石英片供料装置（1）还包括...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨基准石英片供料系统，其特征在于，包括：石英片供料装置（1）、移载检查装置（4）、机械手臂（5）和控制系统（7）；所述移载检查装置（4）设置在所述机械手臂（5）的端部；所述移载检查装置（4）包括拾取部；
2.根据权利要求1所述的供料系统，其特征在于，所述石英片供料装置（1）包括托盘在位传感器（103）、第一托盘（104）、第二托盘（106）、第一检测传感器（108）和第二检测传感器（109）；所述第一托盘（104）、所述第二托盘（106）均为可拆卸结构；
3.根据权利要求2所述的供料系统，其特征在于，所述石英片供料装置（1）还包括：供料支架（101）和供料盖板（102）；所述供料盖板（102）设置在所述供料支架（101）上；
4.根据权利要求3所述的供料系统，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的供料系统，其特征在于，所述第一托盘（104）和所述第二托盘（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛成重，陶利，刘彦良，耿喜平，
申请(专利权)人：北京日扬弘创智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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