高纯铝靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯铝靶材的制备方法，属于高纯铝靶材技术领域，该制备方法中采用真空熔炼掺杂微量铈原子，用作晶粒细化剂，有助于形成细小且分布均匀的晶粒，改善高纯铝靶材的焊接性能；然后经过三次退火和热轧及冷轧处理，得到的高纯铝靶材具有细小且均匀分布的晶粒组织，能够得到更大尺寸的高纯铝靶材；并且在冷轧处理后，在高纯铝靶材表面喷洒改性浆料，改性浆料中的四针状氧化锌晶须，能够改善高纯铝靶材的力学性能，并且利用其特殊的结构特征在高纯铝靶材表面形成一个强化网络层，能够进一步提高高纯铝靶材的力学性能以及抗氧化性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高纯铝靶材，具体涉及一种高纯铝靶材的制备方法。

技术介绍

1、随着电子信息产品制造业的高速发展，特别是在集成电路的制造生产过程中，薄膜技术得到了越来越广泛的应用。通过溅射法沉积制得的薄膜致密度高，是制作金属薄膜的主要方法，其中将用于溅射沉积薄膜的原料称之为靶材。高纯铝相较于原铝具有更好的导电、导热、抗腐蚀、导磁性小等优良性能，是一种优异的靶材材料。

2、但是高纯铝靶材在凝固过程中形成的组织都较为粗大，大塑性变形是目前想要获得细小且均匀晶粒最有效的方法之一，但是该方法只能得到尺寸较小的产品，此外，在过程中还极易发生动态再结晶现象，难以获得取向一致、晶粒尺寸均匀的高纯铝靶材。因此亟需一种更大尺寸、更好晶粒均匀度、更高力学性能的高纯铝靶材来满足现在的市场需要。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高纯铝靶材的制备方法，以解决高纯铝靶材尺寸小、晶粒均匀度和力学性能较差的问题。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、本专利技术提供了一种高纯铝靶材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：

2.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化铈的添加量为0.002～0.005wt％。

3.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述热轧处理的轧制变形量为40～50％；所述冷轧处理的轧制变形量为80～90％。

4.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述四针状氧化锌晶须的添加量为所述冷轧后高纯铝铸锭质量的2～5％。

5.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述四针状氧化锌晶须经过铝掺杂改性。

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【技术特征摘要】

1.高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：

2.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化铈的添加量为0.002～0.005wt％。

3.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述热轧处理的轧制变形量为40～50％；所述冷轧处理的轧制变形量为80～90％。

4.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述四针状氧化锌晶须的添加量为所述冷轧后高纯铝铸锭质量的2～5％。

5.根据权利要求1所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述四针状氧化锌晶须经过铝掺杂改性。

6.根据权利要求5所述的高纯铝靶材的制备方法，其特征在于，所述四针状氧化锌晶须中铝和锌的摩尔比为(0.05～0.1)：1。

7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐智勇，唐安泰，
申请(专利权)人：株洲火炬安泰新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：