一种混频器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种混频器电路，包括：二极管混频器和三极管混频器，所述二极管混频器输出的第一中频信号对输入到三极管混频器，所述三极管混频器包括电连接的第一三极管混频器和第二三极管混频器，所述三极管混频器包括：用于放大输入信号的射频输入级，第一中频端口输出的第一中频信号对输入到所述射频输入级；本振变频级，使用第二本振信号对将输入三极管混频器的第一中频信号对处理为第二中频信号对；用于将第二中频信号对转换为电压信号并输出的输出负载级，能够改善整个混频器电路的线性度和噪声性能，适合处理对信号质量要求较高的应用场景，扩展了整个混频系统的工作频率范围，提高了信号的强度和整个混频系统的动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频电路的，具体涉及一种混频器电路。

技术介绍

1、混频器是输出信号频率等于两输入信号频率之和、差或为两者其他组合的电路，广泛应用在集成电路
，混频器通常由非线性元件和选频回路构成，混位于低噪声放大器之后，直接处理低噪声放大器放大后的射频信号，实现混频功能，混频器还需要接收来自压控振荡器的本振信号，三极管混频器是借助三极管的非线性特性来完成混频功能的电路，传统的混频器电路，大多线性度较差，尤其是在大信号输入时，会导致混频输出信号产生较大失真；噪声性能也相对较差，三极管本身的噪声系数较高，且直流偏置电路可能会引入额外的噪声，二极管混频器是一种利用二极管的非线性特性实现频率变换的电子电路，二极管混频器变频增益低，本身没有放大作用，同时工作频率范围受到限制，导致应用场景范围较小。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本申请提供一种混频器电路，用以克服上述现有技术存在的不足。

2、本专利技术采用以下技术方案：

3、一种混频器电路，包括：</p>

4、二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种混频器电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种混频器电路，其特征在于，所述第一三极管混频器具体包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管和第六三极管，所述第一三极管和所述第二三极管的发射极相连并连接到所述第五三极管的集电极，所述第一三极管的集电极连接所述第三三极管的集电极并连接到所述第一三极管混频器的所述输出负载级，所述第二三极管的集电极连接所述第四三极管的集电极并连接到所述第一三极管混频器的所述输出负载级，所述第三三极管和所述第四三极管的发射极相连并连接到所述第六三极管的集电极，所述第五三极管和所述第六三极管的基极均连接所述第一中...

【技术特征摘要】

1.一种混频器电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种混频器电路，其特征在于，所述第一三极管混频器具体包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管和第六三极管，所述第一三极管和所述第二三极管的发射极相连并连接到所述第五三极管的集电极，所述第一三极管的集电极连接所述第三三极管的集电极并连接到所述第一三极管混频器的所述输出负载级，所述第二三极管的集电极连接所述第四三极管的集电极并连接到所述第一三极管混频器的所述输出负载级，所述第三三极管和所述第四三极管的发射极相连并连接到所述第六三极管的集电极，所述第五三极管和所述第六三极管的基极均连接所述第一中频端口，所述第五三极管与所述第六三极管均与所述第二三极管混频器电连接。

3.根据权利要求2所述的一种混频器电路，其特征在于，所述第二三极管混频器具体包括：第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十一三极管和第十二三极管，所述第七三极管和所述第八三极管的发射极相连并连接到所述第十一三极管的集电极，所述第七三极管的集电极连接所述第九三极管的集电极并连接到所述第二三极管混频器的所述输出负载级，所述第八三极管的集电极连接所述第十三极管的集电极并连接到所述第二三极管混频器的所述输出负载级，所述第九三极管和所述第十三极管的发射极相连并连接到所述第十二三极管的集电极，所述第十一三极管和所述第十二三极管的基极均连接所述第一中频端口，所述第十一三极管与所述第十二三极管均与所述第一三极管混频器电连接。

4.根据权利要求3所述的一种混频器电路，其特征在于，所述第一三极管混频器还包括第五电阻和第六电阻，所述第二三极管混频器还包括第七电阻和第八电阻，所述第五电阻的一端连接所述第五三极管的发射极，所述第五电阻的另一端连接所述第八电阻的另一端，所述第六电阻的一端连接所述第六三极管的发射极，所述第六电阻的另一端连接所述第七电阻的另一端，所述第七电阻的一端连接所述第十一三极管的发射极，所述第八...

【专利技术属性】
技术研发人员：王腾龙，
申请(专利权)人：龙骧鑫睿厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：