【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法，并且更具体地涉及通过将超临界流体供应到基板来处理基板的装置和方法。
技术介绍
1、为了制造半导体器件，通过诸如摄影术、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积的各种工艺来在基板上形成所需图案。每个工艺使用各种处理液，并且在工艺期间会产生污染物和颗粒。为了解决这个问题，在每个工艺之前和之后需要进行清洁工艺以去除污染物和颗粒。
2、典型地，清洁工艺是通过用化学品和冲洗液处理基板、然后烘干来完成的。近年来，诸如异丙醇(isopropyl，ipa)的有机溶剂被用作冲洗液，并使用超临界流体进行干燥。
3、在执行超临界处理工艺后，诸如有机溶剂和颗粒的污染物仍然留在已经执行了超临界处理的腔室中，例如在腔室的结构中或在内壁的缝隙(crevice)中。这些残留物污染了腔室，并再次污染后续处理的基板。为了从腔室中去除污染物，典型地使用清洁液来清洁腔室。然而，当使用清洁液清洁腔室时，设备的吞吐量因基板需要等待附着在腔室内部的清洁液干燥而降低。
技术实现思路p>
1、本专利本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基部设置为能够由所述支承单元支承的形状。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述腔体包括上本体和下本体，所述上本体和所述下本体彼此结合以提供所述处理空间，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述传送单元包括：
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述加热单元载体和所述基板载体设置为沿向上和向下方向间隔开。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述加热器的数量设置为一个或多个，>
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基部设置为能够由所述支承单元支承的形状。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述腔体包括上本体和下本体，所述上本体和所述下本体彼此结合以提供所述处理空间，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述传送单元包括：
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述加热单元载体和所述基板载体设置为沿向上和向下方向间隔开。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述加热器的数量设置为一个或多个，
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括：
8.根据权利要求3所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括：
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热单元设置为能够通过所述传送单元移动，
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述传送单元、以在清...
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