【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻机，具体而言，涉及一种曝光系统、光刻机及曝光控制方法。
技术介绍
1、在光刻机的曝光系统中，光源的高强度照射会导致光强传感器温度上升，从而引起温漂现象，影响曝光剂量的精确计算。
2、目前的解决方案多依赖于上位机中的复杂算法来修正剂量计算中的误差，但这种方法存在一定的局限性。现有的方案通常加入半导体冷却片，以试图通过主动冷却来维持光强传感器的温度稳定。然而，这类半导体冷却片的响应速度有限，难以在短时间内有效地降低由高强度光源造成的瞬时温度上升。此外，目前的主要技术手段是依靠上位机中的复杂计算模型来修正由于温漂引起的剂量计算误差。尽管这种方法能够在一定程度上弥补温度变化带来的影响，但它并不能从根本上解决问题，尤其是在快门频繁开关导致温度快速波动的情况下，软件计算的滞后性会变得更加明显，导致计算曝光剂量不够精确。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，本申请提供了一种曝光系统、光刻机及曝光控制方法，以解决现有技术中计算曝光剂量不够精确等问
2本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种曝光系统，其特征在于，所述曝光系统包括：曝光控制装置以及剂量计算设备，所述曝光控制装置包括：设置在曝光控制板上的光强传感器、温度传感器、温度控制器以及半导体冷却片，所述温度传感器设置在所述光强传感器的第一预设位置处，以探测所述光强传感器的实时温度，所述半导体冷却片设置在所述光强传感器的第二预设位置处，以对所述光强传感器进行冷却；
2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述温度控制器包括：处理器和寄存器；
3.一种光刻机，其特征在于，所述光刻机至少包括：上述权利要求1或2所述的曝光系统。
4.一种曝光系统的曝光控制方法...
【技术特征摘要】
1.一种曝光系统，其特征在于，所述曝光系统包括：曝光控制装置以及剂量计算设备，所述曝光控制装置包括：设置在曝光控制板上的光强传感器、温度传感器、温度控制器以及半导体冷却片，所述温度传感器设置在所述光强传感器的第一预设位置处，以探测所述光强传感器的实时温度，所述半导体冷却片设置在所述光强传感器的第二预设位置处，以对所述光强传感器进行冷却；
2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述温度控制器包括：处理器和寄存器；
3.一种光刻机，其特征在于，所述光刻机至少包括：上述权利要求1或2所述的曝光系统。
4.一种曝光系统的曝光控制方法，其特征在于，应用于上述权利要求1或2中的曝光系统；所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述剂量计算设备获取所述实际光强能量，并基于所述实际光强能量，计算曝光剂量，包括：
6.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张琪，符友银，靳雪仪，陈钰思阳，
申请(专利权)人：新毅东北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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