垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法、芯片、激光雷达技术

本发明专利技术涉及一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法、芯片、激光雷达，所述方法包括：提供一外延层，包括依次叠设在基底上的第一反射镜、有源层及第二反射镜；对外延层进行台面刻蚀，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一电极；形成覆盖第一电极的第一钝化层；进行质子注入，形成质子注入区；形成覆盖第一钝化层的第二钝化层；形成将若干第二电极电性连接的金属连线层，金属连线层与第一电极之间通过第一钝化层和第二钝化层绝缘隔离。本发明专利技术的第一钝化层采用较薄的厚度以减轻其对形成质子注入区的质子注入的阻挡力度，且两层钝化层结构能够避免钝化层质量差，从而保证金属连线层与第一电极之间的有效隔离，降低器件失效短路的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，特别是涉及一种垂直腔面发射激光器阵列，还涉及一种垂直腔面发射激光器芯片，一种垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，以及一种激光雷达。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，垂直腔面发射激光器（vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel）由于其易于集成的特性，被广泛应用于光通信、光互连和光传感等领域。二维（2d）可寻址vcsel阵列因其具有分区点亮和低功耗的特点，因而成为三维传感、先进激光雷达等系统的候选光源。

2、示例性的二维可寻址vcsel采用为共面电极结构，即p型电极和n型电极均分布在芯片的正面，该电极设计提高了器件的集成度，优化了对器件的电和热分布的管理。相邻电极之间隔离不充分会导致短路、误点亮等情况，造成器件失效、可靠性变差甚至安全风险，该风险发生的概率随着器件集成度的增加而显著增大。因此需要采用有效的方式实现电极之间的绝缘隔离。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种电极之间隔离效果良好的垂直腔面发射激光器阵列的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，在形成多个所述第一电极之后、所述形成覆盖所述第一电极的第一钝化层的步骤之前，还包括在所述靠近所述第一侧壁的第一电极和靠近所述第二侧壁的第一电极之间的位置进行刻蚀，形成隔离沟槽的步骤；或

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，形成所述第一反射镜的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜和第一导电层为N型层，所述第一导电层的N型掺杂浓度大于...

【技术特征摘要】

1.一种垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，在形成多个所述第一电极之后、所述形成覆盖所述第一电极的第一钝化层的步骤之前，还包括在所述靠近所述第一侧壁的第一电极和靠近所述第二侧壁的第一电极之间的位置进行刻蚀，形成隔离沟槽的步骤；或

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，形成所述第一反射镜的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜和第一导电层为n型层，所述第一导电层的n型掺杂浓度大于所述第一分布式布拉格反射镜的n型掺杂浓度；

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，所述金属连线层沿所述第一侧壁、所述第一沟槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：闻燕，陈顺利，赵波，赵亮，谷泓毅，
申请(专利权)人：浙江老鹰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：