异质结纳米复合材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种异质结纳米复合材料及其制备方法和应用，异质结纳米复合材料包括C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;/MoS<subgt;2</subgt;/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒，C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;/MoS<subgt;2</subgt;/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒为表层包覆有层状C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;的MoS<subgt;2</subgt;/二氧化钛杂糅体；其中，在MoS<subgt;2</subgt;/二氧化钛杂糅体中，二氧化钛纳米管是高度定向生长的；MoS<subgt;2</subgt;纳米片为花瓣片状形貌，并均匀地分布在二氧化钛纳米管的表面。该材料结构稳定，对有机污染物的去除效率高；其制备方法安全简单、反应温和、毒性小，具有环境友好、安全可控的优势，易于大规模化生产，给未来新能源开发以及环境治理带来重大革新；适宜大面积推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及环境治理修复材料领域，尤其涉及一种异质结纳米复合材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着工业化的快速发展，各种持续性有机污染物，例如：对硝基苯酚、甲基橙、亚甲基蓝、苯酚、罗丹明、荧光黄、2,4-二氯苯氧乙酸、等等被过度排放到环境中。根据大量研究显示这些化学物质是持久的，有着长距离迁移和生物累积性的能力,因而可能对生态系统和人类健康存在潜在危害。

2、tio2为直接宽带隙半导体材料(3.2ev)，为了促进tio2材料在光能转换领域的研究，就需要对其进行多种敏化，以扩展材料的光响应范围并最终提升光转换效率。现有技术中常用的光敏化剂为窄带半导体材料，例如：cds、cdse、fe2o3和cdte；贵金属半导体，例如bi2moo6、biobr、ag3po4等。但均存在稳定性较差、含有贵金属元素导致生产成本较高等问题。

3、研究证实，利用不同的敏化剂共同修饰不但可以扩展材料的光响应范围至可见及近红外区还可以提供错落有致的带隙结构促进载流子的传输，并应用于有机污染物的清除。但现有的修饰后材料对光的利用率较低、有机污染物去除效率较本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结纳米复合材料，其特征在于，所述异质结纳米复合材料包括C3N4/MoS2/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒，所述C3N4/MoS2/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒为表层包覆有层状C3N4的MoS2/二氧化钛杂糅体；

2.一种如权利要求1所述的异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钼源物质包括三氧化钼、钼酸铵和钼酸钠中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硫源物质为C2H5NS。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度...

【技术特征摘要】

1.一种异质结纳米复合材料，其特征在于，所述异质结纳米复合材料包括c3n4/mos2/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒，所述c3n4/mos2/二氧化钛纳米管异质结纳米颗粒为表层包覆有层状c3n4的mos2/二氧化钛杂糅体；

2.一种如权利要求1所述的异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钼源物质包括三氧化钼、钼酸铵和钼酸钠中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硫源物质为c2h5ns。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为180～220℃；所述水热反应的时长为6～24h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述c3n4分散液的获得方式为对含氮有机物依次进行高温焙烧处理、研磨处理、...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯辉，孙宗祥，王海萍，何爱翠，罗翠文，
申请(专利权)人：长沙环境保护职业技术学院，
类型：发明
国别省市：