一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器。半导体结构包括衬底以及设置于衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，第一器件和第二器件串联；串联的第一器件和第二器件构成半导体器件串，半导体器件串两端的器件分别为第一器件和第二器件；第一器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，第二器件为横向扩散金属氧化物半导体晶体管；第一器件包括第一沟道区，第二器件包括第二沟道区和漂移区，第一沟道区、第二沟道区和漂移区沿第一方向排列，漂移区位于第二沟道区背离第一沟道区的一侧。通过上述方案，可实现第一器件和第二器件的单片集成，使得半导体结构同时具备高耐压以及高截止频率特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器。

技术介绍

1、射频功率放大器是各种无线通信系统中不可或缺的关键器件，它主要用于将收发信机输出的已调制射频信号进行功率放大，以得到满足无线通信需求的射频信号。射频功率放大器的结构一般包括输入匹配模块、输出匹配模块、偏置模块、供电模块以及半导体器件。现有技术中，射频功率放大器中的半导体器件无法兼具高耐压以及高频率的要求，限制了射频功率放大器的应用。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体结构及其制备方法、射频功率放大器，以使得半导体结构同时具备高耐压以及高截止频率特性，射频功率放大器可同时满足大功率场景以及宽频带范围的应用要求。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体结构，适用于射频功率放大器，半导体结构包括衬底以及设置于衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，第一器件和第二器件串联；串联的第一器件和第二器件构成半导体器件串，半导体器件串两端的器件分别为第一器件和第二器件；第一器件为金属氧化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，适用于射频功率放大器，所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，所述第一器件和所述第二器件串联；串联的所述第一器件和所述第二器件构成半导体器件串，所述半导体器件串两端的器件分别为所述第一器件和所述第二器件；所述第一器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二器件为横向扩散金属氧化物半导体晶体管；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件还包括第一源区、第一漏区、第一源极和第一漏极；沿所述第一方向，所述第一源区位于所述第一沟道区背离所述第二沟道区的一侧，所述第一漏区位于所述第一沟道区朝...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，适用于射频功率放大器，所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底同一侧的至少一个第一器件和至少一个第二器件，所述第一器件和所述第二器件串联；串联的所述第一器件和所述第二器件构成半导体器件串，所述半导体器件串两端的器件分别为所述第一器件和所述第二器件；所述第一器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二器件为横向扩散金属氧化物半导体晶体管；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件还包括第一源区、第一漏区、第一源极和第一漏极；沿所述第一方向，所述第一源区位于所述第一沟道区背离所述第二沟道区的一侧，所述第一漏区位于所述第一沟道区朝向所述第二沟道区的一侧；所述第一源极位于所述第一源区背离所述衬底的一侧，所述第一漏极位于所述第一漏区背离所述衬底的一侧；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一漏区和所述第二源区之间独立间隔设置，所述第一漏极和所述第二源极连接，或者；

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王余峰，
申请(专利权)人：上海凡麒微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：